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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
jans1n5807us/tr	42.5100	RFQ	8040	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5807us/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		50 v		875 mV @ 4 a	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
NTST40H120CTG	-	RFQ	7917	onsemi	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	NTST40	ショットキー		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	NTST40H120CTGOS	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	20a	910 mv @ 20 a		65 µA @ 120 v	-40°C〜150°C
CBR6A-080	-	RFQ	3233	Corp	-	バルク	廃止			穴を通して	4 平方メートル、 cm				CM	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1
1N4934E-E3/54	0.3900	RFQ	1858年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4934	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		100 V		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
BZX84C5V1	0.0140	RFQ	600	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C5		350 MW	SOT-23	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BZX84C5V1TR	ear99		3,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
BZX84-B68-QR	0.0400	RFQ	9786	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZX84-B68-QRTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 47.6 v						68 v	240オーム
UF4002-M3/73	-	RFQ	8400	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF4002	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
KBP306	0.5100	RFQ	5515	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	箱	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbp		標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		500					1.05 V @ 1.5 a		10 µA @ 600 V		3 a		単相	600 V
1SMA4758HR3G	-	RFQ	2372	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4758		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800							1 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
BZV55B11	0.0357	RFQ	9550	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZV55B		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZV55B11TR	ear99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 100 MA		100 Na @ 8.2 v						11 v	20オーム
BZT52C3V9S	0.0357	RFQ	8272	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZT52C3V9STR	ear99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム
3N257-M4/51	-	RFQ	6373	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N257	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600					1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 600 v		2 a		単相	600 V
MBRL30200FCT	0.5470	RFQ	100	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ		ショットキー		ITO-220AB	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MBRL30200FCTTR	ear99		1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	30a	880 mV @ 15 a		50 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
jantx1n5712ubca/tr	103.9200	RFQ	1215	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/444	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし		ショットキー		ub	-				150-jantx1n5712ubca/tr			100	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	16 v	75ma	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 v	-65°C〜150°C
BZT52B16T-TP	0.0371	RFQ	3383	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZT52B16		200 MW	SOD-523	ダウンロード				353-BZT52B16T-TP	ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 11.2 v						16 v	40オーム
zpy13-tap	0.0545	RFQ	8553	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	ZPY13		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	zpy13tap	ear99	8541.10.0050	25,000							500 NA @ 10 V						13 v	4オーム
SB4050PT_T0_00001	0.8478	RFQ	5327	Panjit International Inc.	SB4020PT	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	SB4050	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-SB4050PT_T0_00001	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	40a	700 mV @ 20 a		200 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
SICW40C120	31.0886	RFQ	6563	diotec半導体	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247	ダウンロード	ROHS準拠	適用できない	未定義のベンダー	2796-SICW40C120		8541.10.0000	450	回復時間なし> 500ma	1ペア共通カソード	1200 v	20a	1.8 V @ 20 a	0 ns	100 µA @ 1200 V	-50°C〜175°C
R50340	158.8200	RFQ	4519	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R50340			1
1N4447	0.1400	RFQ	21	onsemi	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4447	標準		DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,000	標準回復> 500ns		100 V					175°C （最大）	-	-
BYVB32-150-E3/81	1.0050	RFQ	4982	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	byvb32	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜150°C
SZMMSZ4696T1G	0.3700	RFQ	2	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	SZMMSZ4696		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 6.9 v						9.1 v
MMBD301_R1_00001	0.0270	RFQ	6908	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	MMBD301	ショットキー		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,250,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		600 mV @ 10 Ma		200 Na @ 25 V	-55°C〜125°C	200mA	1.5pf @ 15V、1MHz
VS-E5TX3006S2LHM3	2.7300	RFQ	800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®G5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		2.1 V @ 30 a	41 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	30a	-
jans1n6352cus/tr	-	RFQ	4211	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jans1n6352cus/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 114 v						150 v	1000オーム
SIDC09D60F6X1SA5	-	RFQ	1738	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC09D60	標準		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.6 V @ 30 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	30a	-
VS-74-7585	-	RFQ	9931	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					74-7585				-				112-VS-74-7585			1
VX60202PW-M3/p	5.2100	RFQ	429	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		ショットキー		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VX60202PW-M3/p	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	30a	840 mV @ 30 a		200 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
RA356	0.3707	RFQ	3884	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	ra		標準		ra	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-ra356tr		8541.10.0000	10,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 80 a	1.5 µs	5 µA @ 600 v	-50°C〜175°C	35a	-
GR3D	0.0740	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-gr3dtr	ear99		3,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²