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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
ES3C	0.3686	RFQ	3595	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2796-ES3CTR		8541.10.0000	3,000		高速回復= <500ns		150 v	900 mV @ 3 a	20 ns	5 µA @ 150 v	-50°C〜150°C	3a	-
GC4731-150C	-	RFQ	6944	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C		死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC4731-150ctr	ear99	8541.10.0040	1			2 W							0.1pf @ 6V、1MHz	ピン -シングル	15V			2OHM @ 10MA 、100MHz
CZRER5V1B-HF	-	RFQ	3409	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±3％	-55°C〜125°C	表面マウント	0503（1308 メトリック）			150 MW	0503/SOD-723F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	50オーム
GBU406	0.2440	RFQ	100	Yangjieテクノロジー	-	チューブ	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-GBU406	ear99		1,000
CZRB5378B-HF	0.2401	RFQ	8752	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	CZRB5378		5 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 76 v						100 V	90オーム
DPG10I200pm	1.8000	RFQ	50	ixys	Hiperfred²™	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	DPG10I200	標準		TO-220ACFP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		200 v	1.27 V @ 10 a	35 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	10a	-
1N4996US/TR	58.6500	RFQ	4575	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-1N4996US/TR	ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 297 v						390 v	1800オーム
1N4759A	-	RFQ	6309	SMCダイオードソリューション	-	カットテープ（CT）	廃止	±5％	200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 47.1 v						62 v	125オーム
BZT52C4V3-HE3-18	0.0378	RFQ	3237	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C4V3		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000													4.3 v	80オーム
1N6031UR	3.5850	RFQ	3054	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					1N6031				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jan1n4954us	9.7950	RFQ	7437	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4954		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v						6.8 v	1オーム
MSDM150-08	-	RFQ	3773	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール		標準		M2-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1					1.4 V @ 150 a		500 µA @ 800 V		150 a		3フェーズ	800 V
CSFMT101-HF	-	RFQ	4446	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SOD-123H		標準		SOD-123H	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		50 v	950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
SMBG5927B/TR13	-	RFQ	3336	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5927		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム
1N4461 TR PBFREE	0.3465	RFQ	6472	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 4.08 v						6.8 v	2.5オーム
1N821A	-	RFQ	2638	Microsemi Corporation	-	バッグ	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N821		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V						6.2 v	10オーム
TZM5222B-GS08	0.3100	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5222		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						2.5 v	30オーム
1N5383AE3/TR13	-	RFQ	1561	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5383		5 W	T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 108 V						150 v	330オーム
CZRF52C3V3-HF	0.0805	RFQ	4576	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜125°C	表面マウント	1005 （2512 メトリック）	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 Ma		25 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
BZX84-C43,215	0.0200	RFQ	720	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 30.1 v						43 v	150オーム
jantx1n5523dur-1/tr	50.8326	RFQ	5460	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5523dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2.5 v						5.1 v	26オーム
SMBZ5930B-M3/52	0.1308	RFQ	2529	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5930		500 MW	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 12.2 v						16 v	10オーム
BZX84C30	-	RFQ	5468	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZX84C30		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 21 V						30 V	80オーム
FR205GT-G	0.0600	RFQ	3699	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		標準		DO-15	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		641-FR205GT-GTR	ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns		600 V	1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	2a	-
PX1500D-CT	2.1564	RFQ	5461	diotec半導体	-	ストリップ	アクティブ			穴を通して	P600 、軸	PX1500	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-PX1500D-CT		8541.10.0000	12		標準回復> 500ns		200 v	1 V @ 15 a	1.5 µs	10 µA @ 200 v	-50°C〜175°C	15a	-
SR110 R1G	-	RFQ	1583	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SR110	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		100 V	850 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	-
BZV55-C10_115	-	RFQ	6387	フィリップス	*	バルク	アクティブ									ダウンロード						0000.00.0000	1
JAN1N975C-1	4.3950	RFQ	8726	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N975		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V						39 v	80オーム
TLZ4V7B-GS08	0.0335	RFQ	7357	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ4v7		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.7 v	25オーム
MMBZ5248BTS-7-F	0.1300	RFQ	7154	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	MMBZ5248		200 MW	SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	3独立				900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 14 V						18 v	21オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²