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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
DBL152GHC1G	-	RFQ	4395	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	4-dip （0.300 "、7.62mm）	DBL152	標準		dbl	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 1.5 a		2 µA @ 100 V		1.5 a		単相	100 V
SF2JDF-13	0.1266	RFQ	3660	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、フラットリード	SF2	標準		d-flat	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	SF2JDF-13DI	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 2 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	2a	50pf @ 4V、1MHz
BZX384-B4V7,115	0.2300	RFQ	29	Nexperia USA Inc.	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384		300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 2 V						4.7 v	80オーム
BZT52C22Q	0.0220	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BZT52C22QTR	ear99		3,000
TZX6V2B-TAP	0.2300	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	カットテープ（CT）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX6V2		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
MBRBL30100CT	0.4960	RFQ	100	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		ショットキー		d2pak	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MBRBL30100CTTR	ear99		1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	30a	720 mv @ 15 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
BZD27C20P RTG	-	RFQ	5221	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15 V						20 v	15オーム
MURS480GP-TP	0.2995	RFQ	5836	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	MURS480	標準		DO-201AD	ダウンロード				353-MURS480GP-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		800 V		1.85 V @ 4 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	4a	50pf @ 4V、1MHz
jantx1n3030dur-1	46.6950	RFQ	5843	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3030		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 20.6 v						27 v	35オーム
GBU25H08-M3/p	2.4100	RFQ	47	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	4-sip、gbu		標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20					1.05 V @ 12.5 a		10 µA @ 800 V		4.5 a		単相	800 V
NBRS2H100NT3G	0.1523	RFQ	7098	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	NBRS2H	ショットキー		SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-NBRS2H100NT3GTR	ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 2 a		8 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
CZRA5935B-G	0.1352	RFQ	1511	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	CZRA5935		1.5 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20.6 v						27 v	23オーム
HZS7C2TD-E	0.1000	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
SBR30A40CT-G	-	RFQ	6730	ダイオードが組み込まれています	SBR®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	SBR30	スーパーバリア		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	31-SBR30A40CT-G	ear99	8541.10.0080	50	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	40 v	30a	500 mV @ 15 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C
VSIB6A20-E3/45	-	RFQ	3486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	vsib6a	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200					1 V @ 3 a		10 µA @ 200 v		2.8 a		単相	200 v
3EZ30_R2_00001	0.1080	RFQ	2730	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	3EZ30		3 W	DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-3EZ30_R2_00001CT	ear99	8541.10.0050	28,000							500 NA @ 22.5 v						30 V	16オーム
MMBZ5260B-E3-18	-	RFQ	9303	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5260		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 33 V						43 v	93オーム
1N4762AP-AP	0.0797	RFQ	9875	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4762		1 W	DO-41	ダウンロード				353-1N4762AP-AP	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 62.2 v						82 v	200オーム
CDS754AUR-1/TR	-	RFQ	8411	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-				150-CDS754AUR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1
NTE6068	18.4700	RFQ	26	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	DO-203AA		標準		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE6068	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		800 V		1.25 V @ 20 mA		2MA @ 800 V	-65°C〜190°C	70a	-
cdll5235/tr	2.7132	RFQ	9781	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5235/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 5 V						6.8 v	5オーム
BZX584C16-HG3-08	0.3400	RFQ	3511	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000							50 Na @ 11.2 v						16 v	10オーム
rlzte-118.2b	-	RFQ	4044	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±3％	-	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	LLDS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							500 NA @ 5 V						8 v	8オーム
SMA2EZ13D5HE3-TP	0.1404	RFQ	9736	Micro Commercial Co	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMA2EZ13		2 W	do-214ac	ダウンロード				353-SMA2EZ13D5HE3-TP	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v						13 v	5オーム
VX4045CHM3/p	1.0247	RFQ	4271	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220AB	ダウンロード			影響を受けていない	112-VX4045CHM3/p	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	20a	560 mV @ 20 a		600 µA @ 45 V	-40°C〜150°C
BZX84J-C3V9,115	0.3000	RFQ	8767	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	BZX84J-C3V9		550 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム
MBR2040FCT-BP	0.5250	RFQ	5905	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-3分離タブ	MBR2040	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード				353-MBR2040FCT-BP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	20a	840 mV @ 20 a		100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
BZX84B5V6_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.96％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		410 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BZX84B5V6_R1_00001CT	ear99	8541.10.0050	3,000							1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
Hzu30b90trf-e	0.0700	RFQ	96	ルネサス	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-HZU30B90TRF-E-1833			1
S5KHE3/57T	-	RFQ	6274	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	S5K	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns		800 V		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²