| 画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84-C6V8/LF1VL | - | ![]() | 6257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C6V8 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934069503235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N2788 | 74.5200 | ![]() | 6813 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2788 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 70a | - | ||||||||||||||||
![]() | B0520LWQ-7-F-52 | 0.0626 | ![]() | 6928 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | B0520 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | 31-B0520LWQ-7-F-52 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 385 mV @ 500 Ma | 250 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 500mA | 170pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N2989ra | 6.5000 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2989 | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2989ra | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 5 µA @ 21.6 v | 30 V | 8オーム | ||||||||||||||
| jan1n4119c-1/tr | 9.4430 | ![]() | 7681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4119c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 21.3 v | 28 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BAS40SW-AU_R1_000A1 | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAS40 | ショットキー | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BAS40SW-AU_R1_000A1DKR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 40 v | 200mA | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
| jantxv1n4133d-1/tr | 25.8153 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4133d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 66.2 v | 87 v | 1000オーム | |||||||||||||||||
| ES1FL RQG | - | ![]() | 8616 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1F | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 8PF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5257B-TR | 0.1800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5257 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||
![]() | SB2H90-E3/73 | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SB2H90 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 790 mV @ 2 a | 10 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | BZV55-B4V7,115 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55-B4V7 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | edzfte615.1b | - | ![]() | 1525 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | edz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -55°C〜125°C | 表面マウント | edzft | 100 MW | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-edzfte615.1btr | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | EGP10F-TP | - | ![]() | 2612 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | EGP10F | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5336CE3/TR12 | - | ![]() | 6825 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5336 | 5 W | T-18 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 2オーム | ||||||||||||||||
| BZD27C27P RTG | - | ![]() | 2314 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.03% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ5346CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 3896 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5346 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 v | 9.1 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ2V4T1 | - | ![]() | 1755 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ2V | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | CZRF30VB-HF | - | ![]() | 7989 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CZRF30 | 200 MW | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23 V | 30 V | 78オーム | |||||||||||||||
![]() | SFS1004GHMNG | - | ![]() | 3480 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1004 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 10a | 70pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | CZRU33VB-HF | 0.0680 | ![]() | 4651 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CZRU33 | 150 MW | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 25 V | 33 v | 88オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5255B | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±0.5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5255 | 500 MW | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 28 v | 44オーム | |||||||||||||||
![]() | CUR808-G | - | ![]() | 1516 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | CUR80 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 641-CUR808-G | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 8 a | 60 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZT52-C10_R1_00001 | 0.1500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-C10_R1_00001TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15オーム | |||||||||||||||
| BZT52B24 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | 410 MW | SOD-123 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52B24TR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 70オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MAZD120G0L | - | ![]() | 3840 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | MAZD12 | 120 MW | SSSMINI2-F3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 50 Na @ 9 V | 12 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | cdll935/tr | 4.2600 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 0°C〜75°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll935/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5931B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 2765 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5931 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13.7 v | 18 v | 12オーム | |||||||||||||||
![]() | HZS16-3LTD-E | 0.1100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,704 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B10,115 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585-B10 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | |||||||||||||||
![]() | GC4701-150A | - | ![]() | 6406 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC4701-150ATR | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 2 W | 0.15pf @ 6V、1MHz | ピン -シングル | 20V | 1.5OHM @ 10MA 、100MHz |

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