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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
PZU22B1,115	0.0654	RFQ	1164	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	PZU22		310 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 17 V						22 v	25オーム
TZQ5235B-GS08	0.0303	RFQ	4269	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5235		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 5 V						6.8 v	5オーム
SMAJ4757CE3/TR13	0.6450	RFQ	6234	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ4757		2 W	DO-214AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 38.8 v						51 v	95オーム
PMEG2020EJ 115	0.3800	RFQ	65	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-90、SOD-323F	PMEG2020	ショットキー		SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		20 v		525 mV @ 2 a		200 µA @ 20 V	150°C （最大）	2a	60pf @ 5v、1MHz
jans1n4466us/tr	85.9004	RFQ	3537	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4466us/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		300 NA @ 8.8 v						11 v	6オーム
P3D06004G2	2.1000	RFQ	6325	pn接合半導体	p3d	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				TO-263-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-263-2	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けた	4237-P3D06004G2TR			1	回復時間なし> 500ma		650 V			0 ns	20 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	14a
MM5Z33VT1	-	RFQ	2463	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	MM5Z3		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 23.2 v						33 v	80オーム
1N5346C/TR12	3.3900	RFQ	4464	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5346		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		7.5 µA @ 6.6 v						9.1 v	2オーム
V8PAM10S-M3/i	0.4100	RFQ	548	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221BC		ショットキー		DO-221BC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		100 V		840 mV @ 8 a		180 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	2.8a	600pf @ 4V、1MHz
TZM5246B-GS18	0.0303	RFQ	5606	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5246		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		100 na @ 12 v						16 v	17オーム
MP805-E3/54	-	RFQ	1826年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	MP805	標準		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		400 V					-	1a	-
BYM10-1000-E3/97	0.4100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym10	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.2 V @ 1 a		10 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MMBZ4618-E3-08	-	RFQ	5354	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4618		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							1 µA @ 1 V						2.7 v	1500オーム
TS8P07G C2G	-	RFQ	3364	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p	TS8P07	標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15					1.1 V @ 8 a		10 µA @ 1000 v		8 a		単相	1 kV
LL4150GS08	0.2000	RFQ	53	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL4150	標準		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns		50 v		1 V @ 200 mA	4 ns	100 Na @ 50 V	-55°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0V、1MHz
GHXS045A120S-D3	88.5000	RFQ	8493	セミク	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GHXS045	sic （炭化シリコン）ショットキー		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	2独立	1200 v	45a	1.7 V @ 45 a		300 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C
MMSZ5237BT1G	0.2100	RFQ	84	onsemi	MMSZ52XXXT1G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ523		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 6.5 v						8.2 v	8オーム
DSB2810/tr	-	RFQ	8761	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		ショットキー、逆極性		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-dsb2810/tr	ear99	8541.10.0070	100	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		20 v		1 V @ 35 Ma		100 Na @ 15 V	-65°C〜150°C	75ma	2PF @ 0V、1MHz
ES1JWG_R1_00001	0.3800	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1J	標準		sma（do-214ac）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-ES1JWG_R1_00001CT	ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	-
jans1n4468cus/tr	246.7308	RFQ	1418	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4468cus/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		50 Na @ 10.4 v						13 v	8オーム
1N972B_T50R	-	RFQ	7455	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N972		500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 22.8 v						30 V	49オーム
TS35P06GHC2G	-	RFQ	8992	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p	TS35P06	標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15					1.1 V @ 17.5 a		10 µA @ 800 V		35 a		単相	800 V
HPZR-C28X	0.3900	RFQ	6380	Nexperia USA Inc.	HPZR	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123W			962 MW	SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 100 MA		100 Na @ 24 V						28 v	37.1オーム
BYW27-600-CT	0.4083	RFQ	5849	diotec半導体	-	ストリップ	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-41、軸	byw27	標準		DO-41/DO-204AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-byw27-600-ct		8541.10.0000	25	標準回復> 500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	1.5 µs	200 Na @ 600 V	-50°C〜175°C	1a	-
BZX85C36 R0G	0.0645	RFQ	3469	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 10 mA		500 NA @ 25 V						36 v	40オーム
HTZ170C2.8K	-	RFQ	6977	ixys	HTZ170C	箱	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	HTZ170	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	2800 v	10a	1.9 V @ 40 a		500 µA @ 2800 V
MM3Z10-AQ	0.0363	RFQ	4260	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SC-90、SOD-323F			300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-MM3Z10-AQTR		8541.10.0000	3,000					1 V @ 10 mA		100 Na @ 7 V						10 v	20オーム
SF56	0.1120	RFQ	125	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-SF56TB	ear99		1,250
VS-MBRB735TRLPBF	-	RFQ	6401	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	400pf @ 5v、1MHz
jans1n4619d-1	155.7300	RFQ	5518	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v						3 v	1600オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²