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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MB86	-	RFQ	3431	Micro Commercial Co	-	バルク	廃止		-55°C〜125°C（TJ）	穴を通して	4 平方、BR-6	MB86	標準		BR-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MB86MS	ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 4 a		10 µA @ 600 V		8 a		単相	600 V
Set100111	-	RFQ	2378	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました			シャーシ、スタッドマウント	モジュール	Set100	-		-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	-	150 v	45a	1.1 V @ 54 a	30 ns	60 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
Jan1n4617ur-1	6.5550	RFQ	4970	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4617		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						2.4 v	1400オーム
jantx1n968c-1	6.3450	RFQ	3561	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N968		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 15 V						20 v	25オーム
189nq135	-	RFQ	7470	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67ハーフパック	189nq135	ショットキー		D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*189NQ135	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		135 v		1.07 V @ 180 a		4.5 mA @ 135 v		180a	4500pf @ 5V、1MHz
VIT2080S-E3/4W	0.5858	RFQ	5565	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VIT2080	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		80 v		920 mv @ 20 a		700 µA @ 80 V	-55°C〜150°C	20a	-
1N4046R	-	RFQ	7605	Powerex Inc.	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N4046	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		1N4046RPX	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		150 v				15 mA @ 150 v	-65°C〜190°C	275a	-
1N4004SP TR-RPCU	-	RFQ	6096	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			-	-				-	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000
SBRT05U20S3-7	-	RFQ	8054	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-76、SOD-323		スーパーバリア		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	標準回復> 500ns		20 v		400 mV @ 500 Ma		70 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	500mA	-
acurn103-hf	0.4100	RFQ	26	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	acurn103	標準		1206/SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BZT52-B30X	0.0417	RFQ	8741	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123	BZT52		590 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 21 V						30 V	40オーム
1N5249B-G	-	RFQ	2737	comchipテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	-	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-1N5249B-GTB	ear99	8541.10.0050	5,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V						19 v	23オーム
FES8JT-5410HE3/45	-	RFQ	8175	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	FES8	標準		TO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
DL4759A-TP	-	RFQ	8315	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	DL4759		1 W	メルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 47.1 v						62 v	125オーム
MBR10U100HHE3-TP	1.3600	RFQ	7	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	MBR10	ショットキー		TO-277	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	353-MBR10U100HHE3-TPTR	ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		100 V		850 mv @ 10 a		10 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	10a	320pf @ 4V、1MHz
CD977B	1.5029	RFQ	4736	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD977B	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 36 V						47 v	105オーム
UTR4320	12.8400	RFQ	6479	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	-			影響を受けていない	150-UTR4320	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		1.1 V @ 4 a	250 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	4a	320pf @ 0V、1MHz
Jan1n3310b	-	RFQ	9928	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 8.4 v						11 v	0.8オーム
BZX84C6V8	0.0301	RFQ	8068	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-236-3	BZX84C6		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2796-BZX84C6V8TR		8541.10.0000	3,000							2 µA @ 4 V						6.8 v	15オーム
1N5522C	11.3550	RFQ	7623	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5522C	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						4.7 v	22オーム
CDS979B-1	-	RFQ	5381	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS979B-1	ear99	8541.10.0050	50
MBR10200CTC0	-	RFQ	9745	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR1020	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	980 mV @ 10 a		100 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
FR6J02	4.9020	RFQ	8607	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		FR6J02GN	ear99	8541.10.0080	250	高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 6 a	250 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	6a	-
MBRF735 C0G	-	RFQ	1397	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	MBRF735	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-55°C〜150°C	7.5a	-
1N5350/TR12	-	RFQ	5582	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5350		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		1 µA @ 9.4 v						13 v	2.5オーム
jantx1n5415	-	RFQ	3540	Semtech Corporation	MIL-PRF-19500/411。	バルク	sicで中止されました			穴を通して	軸		標準		軸	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		50 v		1.1 V @ 3 a	150 ns	1 µA @ 50 V	-	4.5a	550pf @ 4V、1MHz
BZT52H-A5V6-QX	0.4100	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.07％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
jan1n4627dur-1/tr	18.7264	RFQ	9276	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4627dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 5 V						6.2 v	1200オーム
VS-91MT160KPBF	96.3207	RFQ	1321	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	91MT160	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS91MT160KPBF	ear99	8541.10.0080	15									90 a		3フェーズ	1.6 kV
RLZTE-113.9B	-	RFQ	2787	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±3％	-	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	LLDS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							5 µA @ 1 V						3.9 v	50オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²