画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-8TQ060-M3 | 1.1700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 8TQ060 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 880 mV @ 16 a | 550 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 8a | 500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SB2010-BP | 0.1007 | ![]() | 6538 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SB2010 | ショットキー | DO-15 | ダウンロード | 353-SB2010-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mV @ 2 a | 500 µA @ 100 V | -50°C〜125°C | 2a | 170pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | NTE5202A | 12.8800 | ![]() | 87 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5202A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 30 V | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5940BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5940 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5395 | - | ![]() | 4623 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.4 V @ 1.5 a | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | Z4KE140AHE3/73 | - | ![]() | 3660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | Z4KE140 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 106.4 v | 140 v | 900オーム | ||||||||||||
1N5269 | 2.1000 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5269 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 65 V | 87 v | 370オーム | |||||||||||||||
![]() | nzx9v1a 、133 | 0.2000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | NZX | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | NZX9V1 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 6 V | 8.7 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | V12P6HM3_a/h | 0.9300 | ![]() | 7003 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12p6 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 610 mv @ 12 a | 2.9 MA @ 60 V | -40°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | SB160 | - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB16 | ショットキー | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -60°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | JANTX1N4492US | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 Na @ 104 v | 130 v | 500オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SBT250-04R | - | ![]() | 6668 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | SBT250 | ショットキー | to-3pml | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 25a | 550 mV @ 10 a | 300 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | jantx1n4987c | 18.2550 | ![]() | 5290 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4987 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5231bur-1e3 | 3.0600 | ![]() | 6546 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5231 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1N5231bur-1e3ms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | ||||||||||||
MMBZ5239B-G3-08 | - | ![]() | 4407 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5239 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBJ5924BE3/TR13 | 0.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5924 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 7 V | 9.1 v | 4.5オーム | ||||||||||||
jantx1n3957 | 6.6150 | ![]() | 6164 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/228 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N3957 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | SZMM5Z4702T5G | 0.0574 | ![]() | 5137 | 0.00000000 | onsemi | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-SZMM5Z4702T5GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | |||||||||||||
![]() | 1N4744A-TAP | 0.3600 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4744 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||
![]() | DSP25-16AT-TRL | 5.4069 | ![]() | 6467 | 0.00000000 | ixys | DSP25-16AT | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-268-3 | DSP25 | 標準 | TO-268AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-DSP25-16AT-TRLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 25a | 1.23 V @ 25 a | 40 µA @ 1600 v | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | BZG05C5V6-M3-18 | 0.3900 | ![]() | 5439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.14% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C5V6 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 7オーム | ||||||||||||
MTZJT-722.7B | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | mtzj。 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±3% | - | 穴を通して | do-204ag | MTZJT-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MTZJT722.7B | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.7 v | |||||||||||||||
![]() | CD5535B | 2.0349 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5535B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 Na @ 13.5 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n4960us.tr | - | ![]() | 2981 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 1N4960 | 5 W | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 9.1 v | 12 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N3343a | 49.3800 | ![]() | 6879 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3343 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 91.2 v | 120 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n937bur-1/tr | - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n937bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | GBU4005 | 1.1900 | ![]() | 5611 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU4005 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | DL5225B-TP | - | ![]() | 5848 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | DL5225 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | ||||||||||||
MMBZ5264C-HE3-18 | - | ![]() | 5393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5264 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4986 | - | ![]() | 9858 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4986 | 5 W | 軸 | ダウンロード | 適用できない | 1N4986S | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 114 v | 150 v | 330オーム |
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