画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cdll4124/tr | 2.7531 | ![]() | 3081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4124/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 32.7 v | 43 v | 250オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5554 BK | - | ![]() | 2773 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | R-4 、軸 | 1N5554 | 標準 | GPR-4am | - | 影響を受けていない | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 10 MA | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | TZMC62-GS08 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC62 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | |||||||||||||
![]() | FR201GT-G | 0.0600 | ![]() | 1909 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 641-FR201GT-GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||
1N4705/tr | 3.6575 | ![]() | 2043 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4705/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.6 v | 18 v | ||||||||||||||||
![]() | S43150 | 112.3200 | ![]() | 6878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S43150 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C24,115 | 0.2100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | SR6133RLG | 0.0500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR40150ct | 1.6100 | ![]() | 65 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR40150 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | - | 950 mv @ 20 a | 1 MA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 1n966be3/tr | 2.1679 | ![]() | 4759 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N966BE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
jantx1n6334cus/tr | 39.9450 | ![]() | 3161 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6334cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX384B9V1-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 3518 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B9V1 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | CZRNC55C24-G | - | ![]() | 7539 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 500 MW | 1206 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5918bp/TR12 | 1.8900 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5918 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | mur105rlg | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MUR105 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | MBR4050PT | - | ![]() | 2430 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR4050 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 190 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 40a | 720 mv @ 20 a | 1 MA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | VS-113MT120KPBF | 106.1427 | ![]() | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | mt-kモジュール | 113MT120 | 標準 | mt-k | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs113mt120kpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 a | 3フェーズ | 1.2 kv | ||||||||||||||
jans1n4118-1 | 33.7800 | ![]() | 8833 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 20.5 v | 27 v | 150オーム | |||||||||||||||||
1SMA4751HR3G | - | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4751 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||
UTR60 | 9.2550 | ![]() | 2550 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UTR60 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.1 V @ 200 mA | 400 ns | 3 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 500mA | 40pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
BZX84C9V1-G3-08 | 0.0353 | ![]() | 7835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C9V1 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||||||
1N4573-1 | 12.4050 | ![]() | 7892 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | 0°C〜75°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4573 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | ||||||||||||||||
Jan1N4970 | 5.8950 | ![]() | 8685 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4970 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 25.1 v | 33 v | 10オーム | |||||||||||||||
![]() | ZPY62-TR | 0.0545 | ![]() | 9788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | ZPY62 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | zpy62tr | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 NA @ 47 v | 62 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | Bzy55b22 Ryg | 0.0486 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52C3V9TQ-7-F | - | ![]() | 9182 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.13% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-BZT52C3V9TQ-7-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5246BQ-13-F | 0.0286 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5246 | 370 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-MMSZ5246BQ-13-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | cdll4736a/tr | 3.2319 | ![]() | 7501 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL4736A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT52-C8V2115 | 0.0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT3150 | 63.7050 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 標準 | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-UFT3150 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.1 V @ 15 a | 50 ns | 15 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 30a | 115pf @ 10V、1MHz |
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