RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SBT250-04R	-	RFQ	6668	onsemi	-	トレイ	廃止			穴を通して	to-3p-3フルパック	SBT250	ショットキー		to-3pml	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	25a	550 mV @ 10 a		300 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
JANTX1N4492US	-	RFQ	5108	Semtech Corporation	MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	sq-melf				-	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1							250 Na @ 104 v						130 v	500オーム
TLZ3V3B-GS08	0.2500	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ3V3		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3.3 v	70オーム
1N5231bur-1e3	3.0600	RFQ	6546	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5231		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1N5231bur-1e3ms	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 v	17オーム
1N5529/tr	1.9950	RFQ	6365	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5529/tr	ear99	8541.10.0050	477					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 7 V						9.1 v
1n966be3/tr	2.1679	RFQ	4759	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N966BE3/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 12.2 v						16 v	17オーム
ZPY62-TR	0.0545	RFQ	9788	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	ZPY62		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	zpy62tr	ear99	8541.10.0050	25,000							500 NA @ 47 v						62 v	60オーム
nzx9v1a 、133	0.2000	RFQ	13	Nexperia USA Inc.	NZX	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	NZX9V1		500 MW	ALF2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 6 V						8.7 v	20オーム
jantx1n4493dus/tr	45.2400	RFQ	8290	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantx1n4493dus/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 a		250 NA @ 120 V						150 v	700オーム
SS15HE3_A/H	-	RFQ	6534	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS15	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		50 v		750 mv @ 1 a		200 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	-
1N749AT/r	0.0300	RFQ	10	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-1N749AT/RTR		8541.10.0000	10,000					1.2 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						4.3 v	22オーム
bav21w-hf	0.2500	RFQ	2	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	bav21	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		200 v		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 na @ 200 v	-65°C〜150°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
jantxv1n6487us/tr	-	RFQ	8595	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード				150-jantxv1n6487us/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		35 µA @ 1 V						3.9 v	9オーム
1N4626D	6.5700	RFQ	8852	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4626D	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 4 V						5.6 v	1400オーム
MCL4154-TR	0.0281	RFQ	8066	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	MCL4154	標準		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	12,500	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		35 v		1 V @ 30 mA	4 ns	100 Na @ 25 V	175°C （最大）	200mA	4PF @ 0V、1MHz
BZT52C3V9TQ-7-F	-	RFQ	9182	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5.13％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZT52		300 MW	SOD-523	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	31-BZT52C3V9TQ-7-FTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム
cdll4124/tr	2.7531	RFQ	3081	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4124/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 32.7 v						43 v	250オーム
1N1612R	1.9500	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準、逆極性		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N1612R	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		50 v		1.3 V @ 30 a		10 µA @ 50 V	-65°C〜200°C	16a	-
1N5918bp/TR12	1.8900	RFQ	4943	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5918		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 v	4オーム
VS-113MT120KPBF	106.1427	RFQ	5996	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	113MT120	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs113mt120kpbf	ear99	8541.10.0080	15									110 a		3フェーズ	1.2 kv
jantxv1n5804us/tr	14.1150	RFQ	5880	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		D-5a	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5804us/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
TZMC62-GS08	0.2300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC62		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 47 v						62 v	150オーム
FR201GT-G	0.0600	RFQ	1909	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		標準		DO-15	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		641-FR201GT-GTR	ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	-
GP02-20-E3/73	0.6300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP02	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	標準回復> 500ns		2000 v		3 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 2000 v	-65°C〜175°C	250ma	-
Jan1N4970	5.8950	RFQ	8685	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4970		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 25.1 v						33 v	10オーム
SBA0820AS-AU_R1_000A1	0.3400	RFQ	8047	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SBA0820	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-SBA0820AS-AU_R1_000A1DKR	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		20 v		550 mV @ 800 Ma		100 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	800mA	-
Jan1n6941utk3	-	RFQ	6447	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		ショットキー		Thinkey™3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 50 a		5 ma @ 30 v	-65°C〜150°C	150a	7500PF @ 5V、1MHz
VS-47CTQ020STRLPBF	-	RFQ	3431	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	47CTQ020	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	20 v	20a	450 mv @ 20 a		3 ma @ 20 v	-55°C〜150°C
Jan1n973cur-1	11.3850	RFQ	2629	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N973		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 25 V						33 v	58オーム
LFUSCD15120A	-	RFQ	8525	Littelfuse Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	500	回復時間なし> 500ma		1200 v		1.7 V @ 15 a	0 ns	375 µA @ 1200 V	175°C （最大）	15a	750pf @ 1V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²