画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
bas70wtq | 0.0330 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-bas70wtqtr | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM6.2NB2TL-E | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6875UTK2AS | 259.3500 | ![]() | 3728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-1N6875UTK2AS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS40P05G | 1.3743 | ![]() | 9620 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS40P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 600 V | 40 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | MMSZ5228ET1 | - | ![]() | 7377 | 0.00000000 | onsemi | * | 廃止 | MMSZ52 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B7V5-QX | 0.0436 | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX384-B7V5-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5222B-TP | 0.0318 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5222 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30オーム | |||||||||||||
BZD27C100P MQG | - | ![]() | 1501 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||||
![]() | PZU24B1,115 | 0.0300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PZU24B1,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5934B | 3.0300 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5934 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5934BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | ||||||||||||
![]() | 1n5994d/tr | 4.7747 | ![]() | 3192 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5994D/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3 V | 5.6 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | DSA35-16A | - | ![]() | 9265 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | DSA35 | 雪崩 | do-203ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DSA3516A | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.55 V @ 150 a | 4ma @ 1600 v | -40°C〜180°C | 49a | - | ||||||||||
![]() | BR108-BP | 0.8250 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 平方、PB-6 | BR108 | 標準 | PB-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 1.1 V @ 5 a | 10 µA @ 800 V | 10 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | SMBG5380A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6112 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5380 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 86.4 v | 120 v | 170オーム | ||||||||||||
![]() | CZRT5251B-HF | 0.0620 | ![]() | 6295 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | CZRT5251 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-CZRT5251B-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||
AZ23B30-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B30 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 22.5 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52-B8V2X | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.95% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | PZU36BA-QX | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 µA @ 27 V | 36 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | e1fq | 0.0720 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-E1FQTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN10NS8DTL | 2.9300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | RFN10 | 標準 | LPDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 2.1 V @ 5 a | 40 ns | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | 1N5368A/TR12 | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5368 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 33.8 v | 47 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | MM3Z43VT1G | 0.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MM3Z43 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||||||||
![]() | jantx1n6342dus | 57.9000 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6342dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 43 v | 56 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX584B6V8 | 0.0639 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX584B6V8TR | ear99 | 8541.10.0050 | 104,000 | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | PMEG045V100EPDAZ | 0.7700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | PMEG045 | ショットキー | CFP15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 490 mV @ 10 a | 37 ns | 50 µA @ 10 V | 175°C (最大) | 10a | 1190pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-3C04ET07T-M3 | 2.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-3C04ET07T-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 175pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N1196 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N1196 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 40a | - | |||||||||||
![]() | MB18M-BP | - | ![]() | 4776 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4-dip (0.200 "、5.08mm) | MB18 | ショットキー | MB-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 850 mv @ 1 a | 500 NA @ 80 V | 1 a | 単相 | 80 v | |||||||||||||
![]() | ED302S_L2_00001 | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | ED302S | 標準 | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5248b | 0.0433 | ![]() | 7354 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5248btr | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム |
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