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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
KBPC2508-G	9.9600	RFQ	482	comchipテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、KBPC	KBPC2508	標準		KBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 12.5 a		10 µA @ 800 V		25 a		単相	800 V
PNE20040EPEZ	0.5800	RFQ	4813	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	PNE20040	標準		CFP15B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		200 v		930 mv @ 4 a	30 ns	1 µA @ 200 v	175°C	4a	61PF @ 4V、1MHz
ACZRW5243B-HF	0.0511	RFQ	1441	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-ACZRW5243B-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 9.9 v						13 v	13オーム
JANTX1N6340US	18.0900	RFQ	2627	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6340		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 36 V						47 v	75オーム
10A10	0.1810	RFQ	50	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-10A10TB	ear99		500
1n5527b/tr	1.7689	RFQ	2483	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5527B/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.8 v						7.5 v	35オーム
VS-66-8059	-	RFQ	6739	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					66-8059				-				112-VS-66-8059			1
SFF508G	-	RFQ	2913	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SFF508	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 2.5 a	35 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	5a	50pf @ 4V、1MHz
1N5372/TR8	2.6250	RFQ	2588	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5372		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 44.6 v						62 v	42オーム
Jan1N4625-1	3.7800	RFQ	8770	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4625		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						5.1 v	1500オーム
HS1AL	0.2228	RFQ	1172	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123		標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-HS1ALTR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
ugb8jthe3_a/p	-	RFQ	3808	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.75 V @ 8 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
DMA50P1200HB	5.6887	RFQ	9910	ixys	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	DMA50	標準		TO-247	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	238-DMA50P1200HB	ear99	8541.10.0080	30	標準回復> 500ns		1200 v		1.3 V @ 50 a		40 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	50a	19pf @ 400V、1MHz
1N5553US	11.1900	RFQ	2143	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf b	1N5553	標準		B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		800 V		1.2 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
BAT54A-G3-18	0.0501	RFQ	9930	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°C （最大）
SMBJ5361A/TR13	1.6350	RFQ	1079	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5361		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 19.4 v						27 v	5オーム
MBRS25150CT	0.9315	RFQ	3739	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRS25150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBRS25150CTTR	ear99	8541.10.0080	1,600	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	25a	1.02 V @ 25 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
1N3031B-1/TR	7.4214	RFQ	2123	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3031		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3031B-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 22.8 v						30 V	40オーム
1N2820B PBFREE	-	RFQ	4235	Corp	-	チューブ	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	to-204aa、to-3	1N2820		50 W	to-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		1514-1N2820BPBFREE	ear99	8541.10.0050	20					1.5 V @ 10 a		5 µA @ 18.2 v						24 v	2.6オーム
1N3297R	15.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準、逆極性		DO-8	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3297R	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		1400 v		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1400 v	-65°C〜200°C	100a	-
vs-40mt160kpbf	61.7593	RFQ	6344	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-	シャーシマウント	mt-kモジュール	40MT160	標準		mt-k	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs40mt160kpbf	ear99	8541.10.0080	15					1.51 V @ 100 a				40 a		3フェーズ	1.6 kV
jantx1n3047bur-1/tr	-	RFQ	4440	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.5 w	do-213ab	-				150-jantx1n3047bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 98.8 v						130 v	700オーム
jantxv1n3020d-1/tr	33.8618	RFQ	4946	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3020d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		25 µa @ 7.6 v						10 v	7オーム
BZX84B5V1HE3-TP	0.2700	RFQ	2	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B5V1		350 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
RDS81010XX	-	RFQ	8160	Powerex Inc.	-	バルク	廃止			クランプオン	-		標準		-	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1000 V		750 mV @ 4000 a	25 µs	300 mA @ 1000 v		10000a	-
1N4568E3	6.4050	RFQ	6419	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4568E3	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	200オーム
udzs12b	0.0354	RFQ	4838	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	udzs12		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-DZS12BTR	ear99	8541.10.0050	10,000							90 na @ 9 v						12 v	20オーム
MTZJ39SD R0G	0.0305	RFQ	8354	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	mtzj39		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							200 Na @ 30 V						37.58 v	85オーム
PZU22B1,115	0.0654	RFQ	1164	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	PZU22		310 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 17 V						22 v	25オーム
TZQ5235B-GS08	0.0303	RFQ	4269	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5235		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 5 V						6.8 v	5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²