画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ammsz5238b-hf | 0.0725 | ![]() | 9768 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | AMMSZ5238 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-AMMSZ5238B-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | bat54w | 0.0289 | ![]() | 1965年年 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT54 | ショットキー | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 100 MA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT52C5V6K | 0.0474 | ![]() | 7144 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C5V6KTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n6941utk3cs/tr | 438.9902 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/726 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | ショットキー | Thinkey™3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n6941utk3cs/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65°C〜175°C | 150a | 7500PF @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jans1n4108ur-1 | 48.9900 | ![]() | 4409 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | MBR40150ct | 1.6100 | ![]() | 65 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR40150 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | - | 950 mv @ 20 a | 1 MA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | Jan1n4561b | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N4561 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 20 µA @ 1 V | 5.6 v | 0.12オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5358E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 3669 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5358 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 15.8 v | 22 v | 3.5オーム | |||||||||||||
jantx1n6334cus/tr | 39.9450 | ![]() | 3161 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6334cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | |||||||||||||||||
![]() | CZRB3036-G | - | ![]() | 7595 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CZRB3036 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 27.4 v | 36 v | 22オーム | |||||||||||||
flz9v1a | - | ![]() | 6679 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | FLZ9 | 500 MW | SOD-80 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 8.5 v | 6.6オーム | |||||||||||||||
![]() | SK44BL-TP | 0.4500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK44 | ショットキー | do-214aa hsmb | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 450 mV @ 4 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||
![]() | SB160 | - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB16 | ショットキー | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -60°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | NTE137A | 0.3300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1 W | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE137A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 2オーム | |||||||||||||||||||
BZX84B3V9-HE3_A-18 | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84B3V9-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||||
![]() | STTH200W03TV1 | - | ![]() | 5710 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | stth2 | 標準 | ISOTOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 497-13400 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 300 V | 100a | 1.5 V @ 100 a | 50 ns | 100 µA @ 300 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | SD103CWS | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | ショットキー | SOD-323 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SD103CWSTR | ear99 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 350ma | 50pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | Bzy55b22 Ryg | 0.0486 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||
![]() | MBR4050PT | - | ![]() | 2430 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | MBR4050 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 190 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 40a | 720 mv @ 20 a | 1 MA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
DBLS106GHC1G | - | ![]() | 7362 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DBLS106 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 2 µA @ 800 V | 1 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ035S-M3 | 0.9182 | ![]() | 4233 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 30CTQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | S43150 | 112.3200 | ![]() | 6878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S43150 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD7000 BK PBFREE | 0.0659 | ![]() | 3968 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | CMPD7000 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 100 V | 200mA | 1.1 V @ 100 MA | 4 ns | 500 NA @ 100 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | S1BA-E3/61T | - | ![]() | 6168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1B | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1 µs | 3 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZW03D68-TR | - | ![]() | 1709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 49 v | 68 v | 44オーム | |||||||||||||
![]() | GP10D-6453M3/73 | - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MMSZ5253C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5253C-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | ||||||||||||||||
1N5269 | 2.1000 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5269 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 65 V | 87 v | 370オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n3028c-1/tr | 22.7962 | ![]() | 1420 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3028c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | RS07J-GS18 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS07 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.15 V @ 700 Ma | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 500mA | 9pf @ 4V、1MHz |
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