画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6490 | 11.1000 | ![]() | 4636 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | V12P6HM3_a/h | 0.9300 | ![]() | 7003 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12p6 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 610 mv @ 12 a | 2.9 MA @ 60 V | -40°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||
![]() | GBPC3510W | 1.4590 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | GBPC35 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBPC3510W | ear99 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA16PA60CPBF | - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | HFA16 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a(dc) | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MMSZ5246BQ-13-F | 0.0286 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5246 | 370 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-MMSZ5246BQ-13-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | mur105rlg | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MUR105 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | 1N5554 BK | - | ![]() | 2773 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | R-4 、軸 | 1N5554 | 標準 | GPR-4am | - | 影響を受けていない | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 10 MA | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | 2EZ4.3D5/TR12 | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ4.3 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 4.3 v | 4.5オーム | |||||||||||||
![]() | MBRD1035CTL | - | ![]() | 3147 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | MBRD1035 | ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 5a | 470 mV @ 5 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZX384-C24,115 | 0.2100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | cdll5253c/tr | 6.9150 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5253C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | |||||||||||||||
![]() | SR6133RLG | 0.0500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TST40L200CW | 2.8500 | ![]() | 1787 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | TST40 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 880 mV @ 20 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | R3620 | 33.6000 | ![]() | 1815年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | R36 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | R3620 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 70a | - | |||||||||||||
![]() | MBR860_T0_00001 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR860 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MBR860_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mv @ 8 a | 50 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||
jans1n6350c | 358.7400 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6350c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 120 v | 600オーム | ||||||||||||||||
![]() | V10PM63HM3/h | 0.6600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 650 mV @ 10 a | 25 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 4.5a | 2190pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | jans1n4989 | - | ![]() | 3959 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 5 W | 軸 | - | 600-jans1n4989 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 152 v | 200 v | 500オーム | |||||||||||||||||
BZX84B10-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B10 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX84B39_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZX84B39_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||
jantxv1n4121d-1 | 28.9500 | ![]() | 1879 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4121 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25.1 v | 33 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5349B_R2_00001 | 0.1404 | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 1N5338B | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | do-2011ae、軸 | 1N5349 | 5 W | DO-20101A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-1N5349B_R2_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 500,000 | 2 µA @ 9.1 v | 12 v | 3オーム | |||||||||||||
![]() | BZX584C12-AU_R1_000A1 | 0.2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | FEP16BTHE3/45 | - | ![]() | 4645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | PZS5110BCH_R1_00001 | 0.0324 | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | PZS5110 | 500 MW | SOD-323HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 1 µA @ 7.6 v | 10 v | |||||||||||||||
![]() | PZU3.9B2L 、315 | - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | PZU3.9 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX58550-C6V8X | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 5.1 v | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | MDB10SV | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | onsemi | MLVC | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | MDB10 | 標準 | 4-microdip/smd | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 1.015 V @ 1.2 a | 10 µA @ 1000 v | 1.2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
jans1n4118-1 | 33.7800 | ![]() | 8833 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 20.5 v | 27 v | 150オーム | |||||||||||||||||
![]() | BAT54A/6215 | 0.0300 | ![]() | 207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、BAT54 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) |
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