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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
Jan1n976c-1/tr	4.0432	RFQ	9081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n976c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 33 v						43 v	93オーム
CZRF52C3V9	0.0805	RFQ	6056	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜125°C	表面マウント	1005 （2512 メトリック）	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	95オーム
1N4755A-TR	0.3600	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4755		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 32.7 v						43 v	70オーム
Jan1N6077	19.0950	RFQ	1377	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/503	バルク	アクティブ			穴を通して	E 、軸	1N6077	標準		e-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		100 V		1.76 V @ 18.8 a	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
DZ23C27-TP	0.0474	RFQ	8341	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	DZ23C27		300 MW	SOT-23	ダウンロード				353-DZ23C27-TP	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 Na @ 20 V						27 v	80オーム
SL1J-CT	0.2874	RFQ	2731	diotec半導体	-	ストリップ	アクティブ			表面マウント	SOD-123F		標準		SOD-123F （mf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-SL1J-CT		8541.10.0000	30		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1 µs	1 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	1a	-
murb1620ct-tf	-	RFQ	1317	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	murb1620ct	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	16a	975 mV @ 8 a	30 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
1SMB2EZ7.5_R1_00001	0.1134	RFQ	1595	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB2		2 W	SMB （DO-214AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	500,000								5 µA @ 5 V						7.5 v	2オーム
CDLL945A	40.8150	RFQ	6958	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					CDLL945				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
RFN6T2DNZC9	1.6900	RFQ	1	Rohm Semiconductor	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	RFN6	標準		TO-220FN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	846-RFN6T2DNZC9	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	6a	980 mV @ 3 a	25 ns	10 µA @ 200 v	150°C
MM3Z22VC	0.2200	RFQ	9	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	MM3Z22		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 10 mA		45 Na @ 15.4 v						22 v	51オーム
jans1n6488cus	-	RFQ	1748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V						4.3 v	9オーム
GDZ8V2B-E3-08	0.0360	RFQ	5556	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ8v2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								500 NA @ 5 V						8.2 v	30オーム
BZV90-C3V6,115	-	RFQ	2795	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZV90				-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000
ST3060C	63.3000	RFQ	4475	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	ST3060	標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-st3060c	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	600 V	15a	1.2 V @ 15 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C
VS-KBPC806PBF	4.3300	RFQ	865	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	VS-KBPC8	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4 平方、D-72	KBPC806	標準		D-72	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSKBPC806PBF	ear99	8541.10.0080	100						1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		8 a		単相	600 V
1N457AUR-1	6.7500	RFQ	4484	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		標準		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-1N457AUR-1	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		70 v		1 V @ 100 MA		1 µA @ 70 V	-65°C〜150°C	150ma	-
jantx1n4483us	14.3550	RFQ	5509	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 v						56 v	70オーム
RGL1A	0.0493	RFQ	67	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		標準		DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-rgl1atr		8541.10.0000	2,500		高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-50°C〜175°C	1a	-
MMSZ5255C-TP	0.0218	RFQ	3045	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5255		500 MW	SOD-123	ダウンロード				353-MMSZ5255C-TP	ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 21 V						28 v	44オーム
Jan1n5539d-1	13.8000	RFQ	5564	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5539		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 17.1 v						19 v	100オーム
jantxv1n962d-1/tr	11.6508	RFQ	8794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n962d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v						11 v	9.5オーム
1N936B-1	6.5250	RFQ	2498	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N936B-1	ear99	8541.10.0050	1														9 v	20オーム
UF4001HB0G	-	RFQ	7263	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF4001	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
jans1n5969us/tr	-	RFQ	1371	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	E 、軸				E 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5969us/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		1 MA @ 4.74 v
1N5356B	-	RFQ	4922	onsemi	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5356		5 W	軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 14.4 v						19 v	3オーム
NZ8F33VSMX2WT5G	-	RFQ	7652	onsemi	NZ8F	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2.3％	-65°C〜150°C	表面マウント、濡れ可能な側面	2-xdfn			250 MW	2-x2dfnw（ 1x0.6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-NZ8F33VSMX2WT5GTR	ear99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 26 V						33 v	95オーム
SMBJ4749E3/TR13	0.4350	RFQ	6781	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4749		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
BZX384C11-E3-08	0.2400	RFQ	9292	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C11		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 8 V						11 v	20オーム
VS-45L10	34.6460	RFQ	2834	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			スタッドマウント	DO-205AC 、DO-30 、スタッド	45L10	標準		DO-205AC （DO-30）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS45L10	ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		100 V		1.33 V @ 471 a			-40°C〜200°C	150a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²