画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LZ52C30WS | - | ![]() | 9378 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 前回購入します | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | LZ52C | 500 MW | 1206 | - | 31-LZ52C30WS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5930AE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 5422 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5930 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | TS40P05G | 1.3743 | ![]() | 9620 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS40P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 600 V | 40 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | MMSZ5228ET1 | - | ![]() | 7377 | 0.00000000 | onsemi | * | 廃止 | MMSZ52 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B7V5-QX | 0.0436 | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX384-B7V5-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | D400N22BVFXPSA1 | - | ![]() | 9963 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | DO-205AA | D400N | 標準 | - | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2200 v | 40 mA @ 2200 v | -40°C〜180°C | 450A | - | ||||||||||||
![]() | STPS3150UY | 0.8800 | ![]() | 5591 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Q自動車 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | STPS3150 | ショットキー | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 820 mV @ 3 a | 2 µA @ 150 v | -40°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5222B-TP | 0.0318 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5222 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | TS50P06GH | 2.1231 | ![]() | 4489 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS50P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | TS35P06G C2G | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS35P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 17.5 a | 10 µA @ 800 V | 35 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | MMSZ5262A-AU_R1_000A1 | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5262 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | ||||||||||||
![]() | au2pdhm3/87a | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au2 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.9 V @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1.6a | 42pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | GBU1510-G | 1.5300 | ![]() | 96 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU1510 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 7.5 a | 10 µA @ 1000 v | 15 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | BZX384C3V3-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C3V3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | BZX84B27HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B27 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-BZX84B27HE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||
![]() | 1N5225BRL | 0.0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B5V1-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.96% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B5V1 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 1.5 v | 5.1 v | 10オーム | |||||||||||
1N2820B PBFREE | - | ![]() | 4235 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 1N2820 | 50 W | to-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1514-1N2820BPBFREE | ear99 | 8541.10.0050 | 20 | 1.5 V @ 10 a | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 2.6オーム | ||||||||||||
![]() | MMBZ5244BW-TP | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBZ5244 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | 1N3297R | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準、逆極性 | DO-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3297R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 1400 v | -65°C〜200°C | 100a | - | ||||||||||
![]() | C3D16065D1 | 6.4900 | ![]() | 404 | 0.00000000 | wolfspeed | Z-REC® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | C3D16065 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1697-C3D16065D1 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.8 V @ 16 a | 0 ns | 95 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
jantx1n6355dus/tr | - | ![]() | 4451 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6355dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 152 v | 200 v | 1800オーム | |||||||||||||||
Jan1n969c-1/tr | 4.0432 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n969c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||
![]() | TS6P07GHC2G | - | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS6P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 1000 v | 6 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | 2EZ19D2E3/TR8 | - | ![]() | 7733 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ19 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 14.4 v | 19 v | 11オーム | |||||||||||
![]() | CZRT55C12-G | 0.0620 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | VS-C12ET07T-M3 | - | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | C12et07 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 751-VS-C12ET07T-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 65 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 12a | 515pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | BZX84B5V1HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B5V1 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||
![]() | 1N5084 | 23.4000 | ![]() | 5914 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 3 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-1N5084 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MTZJ39SD R0G | 0.0305 | ![]() | 8354 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj39 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 30 V | 37.58 v | 85オーム |
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