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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
surs8205t3g-vf01	-	RFQ	4408	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	Surs8205	標準		SMB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		50 v		940 mV @ 2 a	30 ns	2 µA @ 50 V	-60°C〜175°C	2a	-
1N5395	-	RFQ	4623	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸		標準		DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	8,000	標準回復> 500ns		400 V		1.4 V @ 1.5 a		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V、1MHz
1 PMT5948C/TR13	2.7600	RFQ	2068	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5948		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 69.2 v				91 v	200オーム
SMZJ3793A-E3/5B	-	RFQ	8105	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 11.4 v				15 V	9オーム
BZX84C12VLYFHT116	0.3800	RFQ	1	Rohm Semiconductor	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.42％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 8 V				12 v	25オーム
jan1n4958c	14.9250	RFQ	4862	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4958		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		25 µa @ 7.6 v				10 v	2オーム
Z4KE140AHE3/73	-	RFQ	3660	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE140		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 500 MA		500 NA @ 106.4 v				140 v	900オーム
ES2K	0.0400	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-ES2KTR	ear99		3,000
1N3342R	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3342R	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 10 a						110 v	30オーム
BZX84-A2V4-QVL	0.1257	RFQ	7242	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZX84-A2V4-QVLTR	ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	100オーム
CDLL4930A	79.1550	RFQ	7450	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4930		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 v	36オーム
jantxv1n5711ub/tr	66.3300	RFQ	7889	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/444	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	4-SMD 、リードなし		ショットキー		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5711ub/tr	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		1 V @ 15 mA		200 Na @ 50 V	-65°C〜150°C		2PF @ 0V、1MHz
MBRB10H60HE3/81	-	RFQ	1840	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		60 V		710 mv @ 10 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	10a	-
BZD27C16P	0.2753	RFQ	9232	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.56％	-55°C〜175°C	表面マウント	SOD-123	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZD27C16PTR	ear99	8541.10.0050	10,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 12 V				16.2 v	15オーム
BZX79-B4V3,113	0.0200	RFQ	140	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX79-B4V3,113-954			1					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	90オーム
jantx1n3821aur-1/tr	14.2310	RFQ	1557	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3821aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3.3 v	10オーム
VS-VSKC56/06	36.3300	RFQ	8790	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKC56	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKC5606	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	600 V	30a			10 mA @ 600 v	-40°C〜150°C
DSEP2X91-03A	42.1600	RFQ	10	ixys	Hiperfred™	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	DSEP2X91	標準		SOT-227B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	DSEP2X9103A	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	2独立	300 V	90a	1.54 V @ 90 a	40 ns	1 MA @ 300 v	-40°C〜150°C
BZX584C4V3-TP	0.0381	RFQ	6051	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±6.98％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	ダウンロード				353-BZX584C4V3-TP	ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	90オーム
BAS16W_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS16	標準		SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BAS16W_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		855 mV @ 10 Ma	6 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	150ma	2PF @ 0V、1MHz
PZU2.7B1A115	0.0200	RFQ	4989	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					ear99	8541.10.0050	8,950
STPS640CB-TR	1.3500	RFQ	17	stmicroelectronics	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	STPS640	ショットキー		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	3a	630 mV @ 3 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）
SL22-M3/52T	0.1464	RFQ	3562	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL22	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		20 v		440 mV @ 2 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	2a	-
JANTX1N302222222222222222222222222222222222222222222222222222	-	RFQ	8004	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 9.1 v				12 v	9オーム
jantx1n3821dur-1/tr	45.2466	RFQ	7459	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3821dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3.3 v	10オーム
1N5248B-1E3	2.4450	RFQ	5215	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5248B-1E3	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V				18 v	21オーム
ammsz5260a-hf	0.0725	RFQ	6816	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123	AMMSZ5260		500 MW	SOD-123	-	ROHS準拠			641-AMMSZ5260A-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 33 V				43 v	93オーム
SDT15H50P5-7D	0.2578	RFQ	9879	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™5		ショットキー		Powerdi™5	ダウンロード			影響を受けていない	31-SDT15H50P5-7DTR	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		50 v		470 mV @ 15 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	15a	-
NS8AT-E3/45	0.4259	RFQ	6503	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N3315RB	8.5000	RFQ	410	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3315		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2383-1N3315RB	ear99	8541.10.0080	1					1.5 V @ 10 a		5 µA @ 12.2 v				16 v	1.6オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²