画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CBRHD-02 TR13 PBFREE | 0.6100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | CBRHD-02 | 標準 | 4-HDディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 200 V | 500 Ma | 単相 | 200 v | ||||||||||||||
![]() | ZMD6.2 | 0.1260 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1 W | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-Zmd6.2tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 1 µA @ 1.5 v | 6.2 v | 4.8オーム | ||||||||||||||||
![]() | GBPC15005W | - | ![]() | 2776 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | トレイ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC15005 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | GBPC15005WDI | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 50 V | 15 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | BZX85B11-TAP | 0.0561 | ![]() | 2433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B11 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 NA @ 8.2 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||
BZY55B15 | 0.0413 | ![]() | 5024 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZY55B15TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||
jantxv1n4134d-1 | 28.9500 | ![]() | 8195 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4134 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.2 v | 91 v | 1200オーム | ||||||||||||||
![]() | S8MC M6G | - | ![]() | 7300 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S8MC | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MB34_R1_00001 | 0.5200 | ![]() | 780 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MB34 | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 700 mV @ 3 a | 50 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 140pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ISL9K18120G3 | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | onsemi | Stealth™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | ISL9 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 18a | 3.3 V @ 18 a | 70 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | udzwte-176.8b | - | ![]() | 5960 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | UMD2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | czrur5v1b-hf | 0.0680 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CZRUR5V1 | 150 MW | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 50オーム | |||||||||||||
![]() | 1N6023UR-1 | 3.5850 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6023 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
jans1n5809urs | 147.4800 | ![]() | 4456 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||||||
BR62 | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜125°C | 穴を通して | 4 平方、BR-6 | 標準 | BR-6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 200 v | 6 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | SF10CG-B | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 1a | 75pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | PDA9T9G00612 | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | バルク | アクティブ | PDA9T9 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 10 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1FLG-GS08 | 0.3400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1F | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 3EZ200D2E3/TR8 | - | ![]() | 8822 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ200 | 3 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 152 v | 200 v | 875オーム | ||||||||||||||
![]() | hzm5.1nb2tl-e | 0.1600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | ルネサス | - | バルク | 廃止 | ±2.16% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 200 MW | 3-mpak | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-HZM5.1NB2TL-E | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 1.5 v | 5.09 v | 130オーム | |||||||||||||||
![]() | jans1n4971 | 80.1900 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 5 W | b 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | ||||||||||||||||
![]() | TZMB3V9-GS08 | 0.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB3v9 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n966666bur-1/tr | 4.0831 | ![]() | 4556 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JAN1N966666666666666666666666666666666666666 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | BZD17C100PH | 0.3773 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C100PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||||
![]() | FFSP0665B | 2.9500 | ![]() | 930 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FFSP0665 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-FFSP0665B | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 259pf @ 1V 、100kHz | ||||||||||
![]() | S8J | 0.2881 | ![]() | 1442 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2796-S8JTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 980 mV @ 8 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -50°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | MBR20200CT-E1 | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 900 mV @ 10 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | SB140S | 0.0463 | ![]() | 35 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | ショットキー | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-SB140STR | 8541.10.0000 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 1 MA @ 40 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n4582aur-1 | 14.1900 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4582 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | ||||||||||||||
au02zv1 | 0.8600 | ![]() | 86 | 0.00000000 | サンケン | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | au02 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 400 ns | 10 µA @ 200 v | -40°C〜150°C | 800mA | - | |||||||||||||
![]() | 1N4736a 、113 | 0.0400 | ![]() | 148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1N47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 |
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