画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMEG3010EB-QX | 0.1154 | ![]() | 3835 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | PMEG3010 | ショットキー | SOD-523 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-PMEG3010EB-QXTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 680 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | 150°C | 1a | 24pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4248 | 2.7300 | ![]() | 256 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N4248 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.2 V @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 800 V | - | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | BZT52B13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1943年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B13 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 10 V | 13 v | 9オーム | |||||||||||||||
jans1n6488cus | - | ![]() | 1748 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||||||
![]() | GDZ8V2B-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ8v2 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 NA @ 5 V | 8.2 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | PDZ5.6BGWX | 0.2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、PDZ-GW | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.23% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | PDZ5.6 | 365 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 1 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5225B | - | ![]() | 1513 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | 200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 950 mV | 3 v | 29オーム | ||||||||||||||||
![]() | ZMC3B6 | 0.0688 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | Quadro Micromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2796-ZMC3B6TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 3.6 v | 85オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BY880-800-CT | 1.6530 | ![]() | 3420 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | BY880 | 標準 | DO-2011 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-by880-800-ct | 8541.10.0000 | 12 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 8 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52-C3V6S-AU_R1_000A1 | 0.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-C3V6S-AU_R1_000A1CT | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | ZM4758A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZM4758 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | |||||||||||||||
![]() | GDZ2V2B-HG3-18 | 0.0509 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、GDZ-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ2v2 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 120 µA @ 700 mV | 2.2 v | 100オーム | |||||||||||||||
1N5236A | 3.9150 | ![]() | 5234 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5236 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 6オーム | ||||||||||||||||
![]() | SF42GHA0G | - | ![]() | 8523 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF42 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84C4V3 TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||
![]() | TLZ16-GS18 | 0.0335 | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ16 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 16 v | 18オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n3016b-1/tr | 8.9908 | ![]() | 5957 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3016b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||||||
![]() | SCS212AGC17 | 5.9100 | ![]() | 189 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220ACFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCS212AGC17 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.55 V @ 12 a | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175°C | 12a | 438pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CD214A-B140LR | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CD214a | ショットキー | 2-SMD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 380 mV @ 1 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | Surs8360T3G-VF01 | - | ![]() | 2476 | 0.00000000 | onsemi | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-SURS8360T3G-VF01TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ23C2V4 | 0.0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-DZ23C2V4TR | ear99 | 3,000 | 1ペア共通カソード | 2.4 v | 85オーム | |||||||||||||||||
![]() | jantx1n4112cur-1/tr | 21.9051 | ![]() | 2817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4112cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | GC4210-150A | - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC4210-150ATR | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V、1MHz | ピン -シングル | 100V | 1.5OHM @ 20MA、1GHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF760-E3/45 | - | ![]() | 2098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | MBRF7 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 7.5 a | 500 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 7.5a | - | |||||||||||||
![]() | S43120 | 57.8550 | ![]() | 7701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | S43120 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | S43120ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 1200 V | -65°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||||||
![]() | CDLL4960 | 11.1450 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4960 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMD11B | 0.1011 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1 W | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-zmd11btr | 8541.10.0000 | 2,500 | 500 NA @ 7 V | 11 v | 6オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZT55B15 L1G | - | ![]() | 3872 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | jans1n4989us.tr | - | ![]() | 5006 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 5 W | - | ダウンロード | 600-jans1n4989us.tr | ear99 | 8541.10.0050 | 250 | 2 µA @ 152 v | 200 v | 500オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5271bur-1/tr | 3.7400 | ![]() | 7269 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 76 v | 100 V | 500オーム |
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