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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
BY880-800-CT	1.6530	RFQ	3420	diotec半導体	-	ストリップ	アクティブ			穴を通して	DO-201AA	BY880	標準		DO-2011	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-by880-800-ct		8541.10.0000	12		標準回復> 500ns			800 V		1.1 V @ 8 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	8a	-
BZT52-C3V6S-AU_R1_000A1	0.2200	RFQ	4	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	BZT52		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BZT52-C3V6S-AU_R1_000A1CT	ear99	8541.10.0050	5,000									15 µA @ 1 V						3.6 v	95オーム
ZM4758A-GS08	0.3900	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZM4758		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500									5 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
GDZ2V2B-HG3-18	0.0509	RFQ	1032	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ2v2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									120 µA @ 700 mV						2.2 v	100オーム
1N5236A	3.9150	RFQ	5234	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5236		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 5.7 v						7.5 v	6オーム
SF42GHA0G	-	RFQ	8523	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SF42	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns			100 V		1 V @ 4 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	4a	100pf @ 4V、1MHz
BZX84C4V3 TR PBFREE	0.5000	RFQ	35	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		350 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
TLZ16-GS18	0.0335	RFQ	6600	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ16		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA								16 v	18オーム
jantx1n3016b-1/tr	8.9908	RFQ	5957	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3016b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		150 µA @ 5.2 v						6.8 v	3.5オーム
SCS212AGC17	5.9100	RFQ	189	Rohm Semiconductor	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220ACFP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	846-SCS212AGC17	ear99	8541.10.0080	1,000		回復時間なし> 500ma			650 V		1.55 V @ 12 a	0 ns	240 µA @ 600 V	175°C	12a	438pf @ 1V、1MHz
CD214A-B140LR	0.4300	RFQ	4	Bourns Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	CD214a	ショットキー		2-SMD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns			40 v		380 mV @ 1 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	110pf @ 4V、1MHz
Surs8360T3G-VF01	-	RFQ	2476	onsemi	*	テープ＆リール（ tr）	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-SURS8360T3G-VF01TR	ear99	8541.10.0080	3,000
DZ23C2V4	0.0240	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-DZ23C2V4TR	ear99		3,000	1ペア共通カソード														2.4 v	85オーム
jantx1n4112cur-1/tr	21.9051	RFQ	2817	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4112cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13.7 v						18 v	100オーム
GC4210-150A	-	RFQ	3249	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C		死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC4210-150ATR			1			10 Ma									0.06pf @ 10V、1MHz	ピン -シングル	100V			1.5OHM @ 20MA、1GHz
MBRF760-E3/45	-	RFQ	2098	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF7	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns			60 V		750 mV @ 7.5 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
S43120	57.8550	RFQ	7701	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	S43120	標準		do-205aa	ダウンロード			影響を受けていない	S43120ms	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns			1200 v		1.1 V @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65°C〜200°C	150a	-
CDLL4960	11.1450	RFQ	5506	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDLL4960	ear99	8541.10.0050	1
ZMD11B	0.1011	RFQ	5	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			1 W	DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-zmd11btr		8541.10.0000	2,500									500 NA @ 7 V						11 v	6オーム
BZT55B15 L1G	-	RFQ	3872	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZT55		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							1 V @ 10 mA		100 na @ 11 v						15 V	30オーム
jans1n4989us.tr	-	RFQ	5006	Semtech Corporation	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	sq-melf			5 W	-	ダウンロード				600-jans1n4989us.tr	ear99	8541.10.0050	250									2 µA @ 152 v						200 v	500オーム
1N5271bur-1/tr	3.7400	RFQ	7269	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264							1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 76 v						100 V	500オーム
MMBZ5243BT-7-F	0.0736	RFQ	5948	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOT-523	MMBZ5243		150 MW	SOT-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 9.9 v						13 v	13オーム
1 PMT5935CE3/TR7	0.7350	RFQ	7195	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5935		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20.6 v						27 v	23オーム
1N753A-1E3	2.0748	RFQ	9247	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N753A-1E3	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v						6.2 v	3オーム
SMAJ5935BE3/TR13	0.6450	RFQ	3599	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5935		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20.6 v						27 v	23オーム
MSAD100-18	-	RFQ	2304	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D1		標準		D1	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1ペア共通アノード	1800 v	100a	1.35 V @ 300 a		5 ma @ 1800 v
SBR1F	-	RFQ	8468	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-	-	-	SBR1	標準		-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1							1.2 V @ 1 a		2 µA @ 100 V		1.5 a		単相	100 V
SBLF1030HE3/45	-	RFQ	4308	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SBLF1030	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns			30 V		600 mV @ 10 a		1 mA @ 30 v	-40°C〜125°C	10a	-
jantx1n1204a	69.5850	RFQ	1062	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/260	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1204	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns			400 V		2.3 V @ 240 a		5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	12a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²