画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3SBA60-M3/45 | 0.8910 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | G3SBA60 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 600 v | 2.3 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
SK29AHR3G | - | ![]() | 7558 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK29 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | BZX384C2V7-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C2V7 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | ||||||||||||||
BZD27C62P RQG | - | ![]() | 9652 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||||
jantxv1n5615 | 11.8350 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/429 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N5615 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.6 V @ 3 a | 150 ns | 500 NA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 45pf @ 12V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5937BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 5063 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5937 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | BZG05C10-HM3-08 | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzg05c-m | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C10 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 10 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | 1N3087R | 134.4000 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-1N3087R | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
BZX584C3V3-HG3-08 | 0.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX584C | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT52B9V1-E3-08 | 0.3100 | ![]() | 5541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B9V1 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 4.8オーム | ||||||||||||||
![]() | S35 | 0.0660 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-S35TR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.9B2,115 | - | ![]() | 6048 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU3.9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRH15045RL | - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67 | ショットキー、逆極性 | D-67 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 600 mV @ 150 a | 5 ma @ 45 v | 150a | - | ||||||||||||||||
![]() | STTH4R02B | - | ![]() | 1584 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | STTH4R02 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 4 a | 30 ns | 3 µA @ 200 V | 175°C (最大) | 4a | - | |||||||||||
![]() | BZX384C68-HE3-08 | 0.0341 | ![]() | 8056 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C68 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | ||||||||||||||
![]() | DZ23C4V7Q | 0.0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-DZ23C4V7QTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5817/tr | 7.1550 | ![]() | 1046 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ショットキー | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5817/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 600 mV @ 1 a | 100 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||
MMBZ5255B-HE3-08 | - | ![]() | 4884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5255 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 21 V | 28 v | 44オーム | |||||||||||||||
![]() | SRA1690H | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRA1690H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 mv @ 16 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||
HFA105NH60R | - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67ハーフパック | HFA105 | 標準 | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *HFA105NH60R | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 105 a | 140 ns | 30 µA @ 600 V | 105a | - | ||||||||||||
![]() | HPZR-C53X | 0.3900 | ![]() | 7073 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | HPZR | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123W | 962 MW | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 45 V | 53 v | 62.54オーム | ||||||||||||||
![]() | BZG03C150-HM3-18 | 0.1898 | ![]() | 6233 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C150 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 110 v | 150 v | 300オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3326rb | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 27.4 v | 36 v | 3.5オーム | |||||||||||||||
SS29LHRVG | - | ![]() | 2721 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS29 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | SS110 | 0.0240 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | DO-214AC (HSMA) | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS110TR | ear99 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | 1a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5356AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 5086 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5356 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 13.7 v | 19 v | 3オーム | |||||||||||||
![]() | rbq10bge10atl | 1.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | RBQ10 | ショットキー | TO-252GE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 770 mV @ 5 a | 80 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||
![]() | SMMSZ5260BT1G | - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | SMMSZ5260 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | |||||||||||||
![]() | RSX101M-30TR | 0.1094 | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOD-123F | RSX101 | ショットキー | PMDU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 390 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | 60pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5930C | 6.0300 | ![]() | 7162 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5930 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 10オーム |
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