画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S3650 | 61.1550 | ![]() | 7105 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S3650 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
jans1n5811urs | 147.4800 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||||||
![]() | UM7306C | - | ![]() | 6124 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | スタッド | - | - | 影響を受けていない | 150-UM7306CTR | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 7.5 w | 0.7pf @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 600V | 3OHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZPD56 | 0.0447 | ![]() | 8766 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-ZPD56TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100 Na @ 39 v | 56 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n4572aur-1/tr | 12.4050 | ![]() | 4608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4572aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | 3A60H | 0.1041 | ![]() | 1853 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3A60 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 3a | 27pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SE10PD-M3/85A | 0.0899 | ![]() | 5581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SE10 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.05 V @ 1 a | 780 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | UMX512 | 6.4800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-IMX512 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | |||||||||||||||||||||||
1N8033-GA | - | ![]() | 9724 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-276AA | 1N8033 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-276 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.65 V @ 5 a | 0 ns | 5 µA @ 650 v | -55°C〜250°C | 4.3a | 274pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||
BZD27C18PHRQG | - | ![]() | 4638 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.4% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 17.95 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | CD214A-R150 | - | ![]() | 3339 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CD214a | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX79-C6V8,133 | 0.1600 | ![]() | 648 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-C6V8 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||
1N5406RL | - | ![]() | 7115 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | 1N5406 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜170°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | DF06MA-E3/45 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | DF06 | 標準 | DFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 1 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | BZD27C120PH | 0.3075 | ![]() | 7247 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C120PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120.5 v | 300オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84B27-TP | 0.0231 | ![]() | 1777 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B27 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-BZX84B27-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | Jan1n5524bur-1 | 14.4600 | ![]() | 3821 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5524 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3.5 v | 5.6 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4697D | 12.0750 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTE5243AK | 40.4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-NTE5243AK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5.1 v | 0.12オーム | |||||||||||||||||
![]() | FR70D05 | 17.5905 | ![]() | 9746 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | FR70D05GN | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 70 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||||||
![]() | ZMY51-GS08 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZMY51 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 38 V | 51 v | 100オーム | ||||||||||||||
RLZTE-1136C | - | ![]() | 5813 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | LLDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 Na @ 27 V | 33.6 v | 75オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMAZ5927B-M3/61 | 0.1073 | ![]() | 9718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5927 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||||||
BZX84C4V3-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C4V3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | GC4723-79 | - | ![]() | 3483 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 2-SMD 、リードなし | - | - | 影響を受けていない | 150-GC4723-79 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 W | 0.5pf @ 6V、1MHz | ピン -シングル | 120V | 500mohm @ 10ma 、100MHz | |||||||||||||||||
jantx1n6621u/tr | 18.2700 | ![]() | 8784 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/585 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準、逆極性 | a sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6621u/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 440 v | 1.4 V @ 1.2 a | 45 ns | 500 NA @ 440 v | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||||||||||||||
![]() | BZX85C13 | 0.0300 | ![]() | 89 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,230 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.1 v | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | MM5Z11 | 0.0333 | ![]() | 6121 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MM5Z11TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | VSSAF5L45-M3/6B | 0.3011 | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS®、Slimsma™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SAF5L45 | ショットキー | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSSAF5L45M36B | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 560 mV @ 5 a | 650 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | 3a | 740pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | jantx1n4956 | - | ![]() | 8557 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 5 W | 軸 | - | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 1.5オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫