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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N3311ra	8.5000	RFQ	400	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3311		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3311ra	ear99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 10 a		5 µA @ 8.6 v						12 v	1オーム
AZ23B20-HE3_A-18	-	RFQ	5371	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B20-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 14 V						20 v	55オーム
MBRB3060CT	0.4960	RFQ	100	Yangjieテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		ショットキー		d2pak	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MBRB3060CT	ear99		1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	30a	726 mV @ 15 a		1 MA @ 60 v	-55°C〜150°C
V12P22HM3/h	1.6400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 12 a		300 µA @ 200 V	-40°C〜175°C	3.2a	720pf @ 4V、1MHz
CDLL5225A	2.8650	RFQ	5428	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5225			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						3 v	29オーム
jans1n6635us	-	RFQ	9534	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		25 µA @ 1 V						4.3 v	2オーム
S3J-AQ-CT	0.6334	RFQ	1052	diotec半導体	-	ストリップ	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3J	標準		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-S3J-AQ-CT		8541.10.0000	15		標準回復> 500ns		600 V		1 V @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 600 v	-50°C〜150°C	3a	-
1N5526B-1/TR	1.9950	RFQ	3179	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5526B-1/TR	ear99	8541.10.0050	477						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v						6.8 v	30オーム
cdll3029b/tr	13.7522	RFQ	6418	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll3029b/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 18.2 v						24 v	25オーム
ABS6-HF	0.1348	RFQ	1385	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	ABS6	標準		腹筋	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000						1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v		1 a		単相	600 V
janhca1n5530c	-	RFQ	3932	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-janhca1n5530c	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.1 v						10 v	60オーム
G5S06502AT	-	RFQ	5626	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220AC	-			未定義のベンダー	4436-G5S06502AT			1		回復時間なし> 500ma		650 V		1.5 V @ 2 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	9.6a	124pf @ 0V、1MHz
SS3H9HE3_B/H。	0.6500	RFQ	4122	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS3H9	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		90 v		800 mV @ 3 a		20 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	3a	-
MBR2090CT C0G	-	RFQ	9217	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR2090	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	90 v	20a	950 mv @ 20 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C
1N4697-1/TR	5.0250	RFQ	6727	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N4697-1/TR	ear99	8541.10.0050	188						1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 7.6 v						10 v
1N3332B	49.3800	RFQ	1965年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3332		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 38.8 v						51 v	5.2オーム
MBR6050PT C0G	-	RFQ	1952年年	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	MBR6050	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	60a	930 mv @ 60 a		1 MA @ 50 V	-55°C〜150°C
BAS40WQ-13-F	0.0507	RFQ	1697	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS40	ショットキー		SOT-323	ダウンロード			影響を受けていない	31-BAS40WQ-13-FTR	ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	200 Na @ 30 V	-55°C〜125°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
SF1200-TR	0.2673	RFQ	1681	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	SF1200	標準		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000		高速回復= <500ns		1200 v		3.4 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	1a	-
DZ2427000L	-	RFQ	7653	パナソニック電子コンポーネント	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-40°C〜85°C	表面マウント	SOD-128	DZ24270		2 W	TMINIP2-F2-B	-	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 19 v						27 v	30オーム
1N3167R	-	RFQ	9957	Powerex Inc.	-	バルク	アクティブ					1N3167				-	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1
ES1DFL-TP	0.0360	RFQ	2055	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	ES1D	標準		DO-221AC	ダウンロード				353-ES1DFL-TP	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		200 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	-
MMSZ5244C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	6632	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5244C-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 10 V						14 v	15オーム
1N5621/tr	4.7250	RFQ	4466	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5621/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		800 V		1.6 V @ 3 a	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12V、1MHz
MUR1060CT	0.3810	RFQ	100	Yangjieテクノロジー	-	チューブ	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MUR1060CT	ear99		1,000
MM3Z3V0C	0.2100	RFQ	62	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	MM3Z3V0		200 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V						3 v	89オーム
BZT55C24-GS18	0.0283	RFQ	3071	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C24		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V						24 v	80オーム
3SBMB2	-	RFQ	5026	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-	穴を通して	4-sip	3SBM	標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1						1.1 V @ 3 a		2 µA @ 200 v		3 a		単相	200 v
BZT52C4V3	0.1500	RFQ	2194	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.98％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		3,000						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
1N3349RB	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3349RB	ear99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 10 a		5 µA @ 136.8 v						180 v	90オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²