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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-2YH01-M3/h	0.4800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	2YH01	標準		Slimsmaw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		100 V		930 mv @ 2 a	28 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	12pf @ 200V
jans1n3595a-1	-	RFQ	6812	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		125 v		1 V @ 200 mA	3 µs	2 Na @ 125 v	-65°C〜175°C	150ma	-
2EZ47D10/TR8	-	RFQ	2816	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ47		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 35.8 v						47 v	40オーム
KBPC2506T	2.2995	RFQ	3650	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、KBPC-T	KBPC2506	標準		KBPC	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 12.5 a		5 µA @ 600 v		25 a		単相	600 V
ABZT52B24-HF	0.0690	RFQ	1237	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123	ABZT52		500 MW	SOD-123	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-ABZT52B24-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		45 Na @ 16.8 v						24 v	80オーム
au3pjhm3/86a	-	RFQ	2373	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		600 V		1.9 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1.7a	72pf @ 4V、1MHz
VS-30WQ10FNHM3	1.6200	RFQ	380	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	to-252-3	30wq10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns		100 V		810 mv @ 3 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C	3.5a	92pf @ 5V、1MHz
GBL06L-5308E3/51	-	RFQ	8306	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBL06	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 4 a		5 µA @ 600 v		3 a		単相	600 V
V60100C-E3/45	-	RFQ	3271	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	V60100	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	V60100C-E3/45GI	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	30a	790 mV @ 30 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C
S70MR	9.8985	RFQ	5098	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	S70M	標準、逆極性		DO-5	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		S70mrgn	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 70 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	70a	-
MB58_R1_00001	0.1296	RFQ	4507	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	MB58	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75,200	高速回復= <500ns		80 v		800 mV @ 5 a		50 µA @ 80 V	-65°C〜175°C	5a	-
PMEG2020EPASX	0.4100	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	3-udfn露出パッド	PMEG2020	ショットキー		DFN2020D-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		20 v		420 mv @ 2 a	50 ns	1.9 mA @ 20 v	150°C （最大）	2a	175pf @ 1V、1MHz
1N5828	12.4155	RFQ	6466	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N5828	ショットキー		DO-5	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		1N5828GN	ear99	8541.10.0080	250	高速回復= <500ns		40 v		500 mV @ 15 a		10 ma @ 20 v	-65°C〜150°C	15a	-
10TQ035STRR	-	RFQ	9040	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	10TQ035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		35 v		570 mV @ 10 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜175°C	10a	-
C3D06060G	3.8800	RFQ	8	wolfspeed	Z-REC®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	C3D06060	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-263-2	ダウンロード	ROHS準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.10.0080	50	回復時間なし> 500ma		600 V		1.7 V @ 6 a	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	19a	295pf @ 0V、1MHz
KBPC25005W	1.4930	RFQ	50	Solid State Inc.	KBPC25	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	穴を通して	4 平方、KBPC-W		標準		KBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-KBPC25005W	ear99	8541.10.0080	10					1.2 V @ 12.5 a		10 µA @ 50 V		25 a		単相	50 v
1N4761a g	-	RFQ	7198	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4761		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 56 v						75 v	175オーム
BZT52C6V8T-7	0.2100	RFQ	30	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZT52		300 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	15オーム
SBLB2040CTHE3/81	-	RFQ	1874年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB2040	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	10a	600 mV @ 10 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜150°C
SMBG4743CE3/TR13	-	RFQ	2201	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG4743		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.9 v						13 v	10オーム
SDT20120GCT	0.6954	RFQ	1026	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	SDT20120	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード			影響を受けていない	31-SDT20120GCT	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	10a	830 mV @ 10 a		30 µA @ 120 v	-55°C〜150°C
BZX84B12Q-7-F	0.0382	RFQ	3521	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード			影響を受けていない	31-BZX84B12Q-7-FTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						12 v	25オーム
GP10WHM3/73	-	RFQ	6796	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1500 v		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	1a	5PF @ 4V、1MHz
UF4005-AP	-	RFQ	9870	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF4005	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜125°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
GBPC3508W	-	RFQ	8462	ダイオードが組み込まれています	-	トレイ	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC3508	標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	GBPC3508WDI	ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 17.5 a		5 µA @ 800 V		35 a		単相	800 V
1N4047	21.0000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		DO-9	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N4047	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		200 v		1.3 V @ 300 a		75 µA @ 200 V	-65°C〜190°C	275a	-
BYT51K-TAP	0.2871	RFQ	4163	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYT51	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1.5a	-
JANTX1N4123UR-1	9.8600	RFQ	150	マコムテクノロジーソリューション	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.65 v						39 v	200オーム
PTV5.6B-E3/84A	-	RFQ	5292	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV5.6		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 1.5 v						6 v	8オーム
MMSZ5244A_R1_00001	0.1900	RFQ	4	Panjit International Inc.	MMSZ5229A	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123	MMSZ5244		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MMSZ5244A_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	3,000							500 NA @ 10.5 v						14 v	15オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²