画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 92MT160kb | - | ![]() | 3854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | MTK | 92MT160 | 標準 | MTK | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 a | 3フェーズ | 1.6 kV | |||||||||||||
![]() | DF04S | 0.4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF04 | 標準 | DF-S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | DF04SDI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V | ||||||||||
![]() | ES3B | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES3BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
jans1n6638u/tr | 25.5002 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/578 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n6638u/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 125 v | 1.1 V @ 200 mA | 4.5 ns | 500 NA @ 150 V | -65°C〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | PDA9R9G01618 | - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | バルク | アクティブ | PDA9R9 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 10 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PBPC606 | - | ![]() | 1263 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | 箱 | 廃止 | -65°C〜125°C | 穴を通して | 4 平方、PBPC-6 | 標準 | PBPC-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||
![]() | 1n962b/tr | 2.4339 | ![]() | 2094 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N962B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n4616dur-1/tr | 18.7264 | ![]() | 6790 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4616dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 2.2 v | 1300オーム | ||||||||||||
BZX84C6V8-G3-08 | 0.2700 | ![]() | 8951 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C6V8 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | BZG03B91TR3 | - | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 68 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4112DUR-1/TR | 9.6300 | ![]() | 4914 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | |||||||||||||||
jantxv1n5541d-1/tr | 26.0414 | ![]() | 4346 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5541d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 19.8 v | 22 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n2837b | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2837 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 69.2 v | 91 v | 15オーム | ||||||||||||
jantxv1n753d-1/tr | 15.1487 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n753d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6.2 v | 7オーム | |||||||||||||
MMBZ5252B-HE3-18 | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | BZX79-C7V5,143 | 0.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-C7V5 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | 3SMBJ5943B-TP | - | ![]() | 1589 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3SMBJ5943 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||
![]() | PZ1AH75B_R1_00001 | 0.0648 | ![]() | 6975 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123H | PZ1AH75 | 1 W | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 501,000 | 1 µA @ 56 v | 75 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | jans1n4619dur-1 | 209.1300 | ![]() | 4619 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600オーム | |||||||||||||
jans1n4584a-1 | 120.9000 | ![]() | 2853 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5926BPE3/TR8 | 0.9450 | ![]() | 2900 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5926 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | |||||||||||
![]() | MM5Z47VT5G | 0.2600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | onsemi | mm5zxxxt1g | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.38% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MM5Z47 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||
![]() | 1n6013ur-1/tr | 3.7400 | ![]() | 1486 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 36 v | |||||||||||||||||
![]() | BZT55C4V7-GS18 | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55C4V7 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 1 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | BZX84B3_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZX84B3_R1_00001TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||
![]() | 1 PMT5949B/TR13 | 2.2200 | ![]() | 1731 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5949 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 v | 100 V | 250オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ5363BHE3-TP | 0.2360 | ![]() | 7933 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5363 | 5 W | do-214aa | ダウンロード | 353-SMBJ5363BHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | |||||||||||||
![]() | W02G/1 | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 円、 wog | 標準 | wog | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | SR22W_R1_00001 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SR22 | ショットキー | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | M3Z43VC | 0.0294 | ![]() | 5552 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z43 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z43VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫