画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MB1010-BP | - | ![]() | 9578 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4 平方、BR-6 | MB1010 | 標準 | BR-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 1.1 V @ 5 a | 10 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | HVD355B17KRF-E | 0.1300 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DZ23C36HE3-TP | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23C36 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 27 V | 36 v | 90オーム | |||||||||||
gbu6k | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||
![]() | ZPD18B | 0.0225 | ![]() | 15 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-ZPD18BTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100 Na @ 14 V | 18 v | 18オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n6633us | - | ![]() | 2207 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N6633 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | PMEG2005ELD 、315 | - | ![]() | 3428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMEG2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES2DQ | 0.1340 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ES2DQTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3044cur-1/tr | 33.2500 | ![]() | 6330 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3044cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | ||||||||||||
CBR1-D020 PBFREE | 0.1852 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | CBR1-D020 | 標準 | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||
CBR1-D060 PBFREE | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | CBR1-D060 | 標準 | 4-dip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | SS56ALH | 0.1596 | ![]() | 2368 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SS56 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SS56ALHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 5 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 245pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | KBP308 | 0.4700 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | 箱 | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 500 | 1.05 V @ 1.5 a | 10 µA @ 800 V | 3 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | V20K150-M3/i | 0.3320 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-V20K150-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.41 V @ 20 a | 250 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 3.1a | 970pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
jantx1n963c-1 | 5.5050 | ![]() | 3664 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N963 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | ||||||||||||
![]() | CD4704 | 2.3408 | ![]() | 2990 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD4704 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.9 v | 17 v | |||||||||||||
![]() | M3F | 0.0160 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-M3FTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ10J | 0.8300 | ![]() | 250 | 0.00000000 | うねり | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、KBJ | 標準 | gbj(5S) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2616-GBJ10J | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 5 a | 5 µA @ 600 v | 10 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | BZT585B16T-7 | 0.2300 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||
![]() | jans1n4987cus | 462.0150 | ![]() | 7978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4987cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム | |||||||||||||
![]() | NRVTS560ETFSTAG | - | ![]() | 2324 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 8-POWERWDFN | NRVTS560 | ショットキー | 8-WDFN (3.3x3.3) | ダウンロード | 488-NRVTS560ETFSTAG | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 680 mV @ 5 a | 50 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 5a | - | ||||||||||||||
![]() | KBU1010 | 0.3740 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-KBU1010 | ear99 | 400 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GBU806A | 0.3300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBU806A | ear99 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2006 | 0.4190 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | GBJ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | 標準 | GBJ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBJ2006 | ear99 | 750 | 1.05 V @ 10 a | 10 µA @ 600 V | 20 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | GBU608A | 0.2930 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBU608A | ear99 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | D3UB60 | 0.1350 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-D3UB60 | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2506A | 0.5100 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBJ2506A | ear99 | 750 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MT3510A | 5.7350 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 5 平方メートル、MT-35a | 標準 | MT-35A | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MT3510A | ear99 | 50 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 1000 v | 35 a | 3フェーズ | 1 kV | |||||||||||||
YBS3008 | 0.1180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ybs3008tr | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2006A | 0.6310 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBJ2006A | ear99 | 750 |
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