画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Hz6.2bp-e | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3048b-1 | - | ![]() | 4955 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115N | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-13 | 1 W | do-13(do-202aa | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 114 v | 150 v | 1000オーム | |||||||||||||||||||
![]() | NXPSC166506Q | 6.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 16 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 16a | 534pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | ZPY24 | 0.0986 | ![]() | 5423 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | 1.3 w | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-ZPY24TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 12 V | 24 v | 7オーム | |||||||||||||||||||
![]() | mtzj39se | 0.0305 | ![]() | 6245 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj39 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ39SETR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 30 V | 38.33 v | 85オーム | |||||||||||||||||
![]() | CD753D | - | ![]() | 2765 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD753D | ear99 | 8541.10.0050 | 223 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6.2 v | 7オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jan1n746dur-1/tr | 12.7680 | ![]() | 6856 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n746dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 17オーム | |||||||||||||||||
jans1n6310d | 350.3400 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6310 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5253B_D87Z | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N2979rd | 184.9050 | ![]() | 6507 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2979 | 10 W | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2979rd | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 3オーム | |||||||||||||||||
jantx1n4485us | 15.8100 | ![]() | 6987 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 54.4 v | 68 v | 100オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5943D | 8.2950 | ![]() | 9972 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5943 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n4148ub2 | 23.0100 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/116 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 1N4148 | 標準 | UB2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜200°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
jans1n4480us/tr | 86.7300 | ![]() | 8703 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4480us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 34.4 v | 43 v | 40オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 2EZ180D5/TR12 | - | ![]() | 2586 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ180 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 725オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ4699-HF | 0.0476 | ![]() | 3440 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4699 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 9.1 v | 12 v | ||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4717-HF | 0.0476 | ![]() | 3227 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4717 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 Na @ 32.6 v | 43 v | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4745A_S00Z | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4745 | 1 W | DO-41 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 30CTQ045 | 1.5282 | ![]() | 2034 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 30ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2796-30CTQ045 | 8541.10.0000 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 620 V @ 15 a | 50 µA @ 45 v | -50°C〜175°C | |||||||||||||||
![]() | 1N5918CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 1695 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5918 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4オーム | ||||||||||||||||
jan1n4479c | 20.3700 | ![]() | 8199 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4479 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 31.2 v | 39 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | bav70hdw-7 | 0.3300 | ![]() | 99 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | bav70 | 標準 | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペア共通カソード | 100 V | 125ma | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | RD2.4ES-T1-AZ | 0.0500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5936bp/TR12 | 1.8900 | ![]() | 9985 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5936 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 28オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZG05B3V9-E3-TR3 | - | ![]() | 1798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2.05% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 15オーム | |||||||||||||||||
![]() | VS-20CTH03-M3P | - | ![]() | 6707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 20cth03 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | MAVR-045440-0287ft | 2.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | TO-236-3 | MAVR-045440 | SOT-23 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0060 | 3,000 | 11pf @ 4V、1MHz | 1ペア共通カソード | 30 V | 4.5 | C0/C30 | 1300 @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | bzx84c5v1cc-hf | 0.0492 | ![]() | 9961 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C5 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-BZX84C5V1CC-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 a | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMAJ4734E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ473 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | ||||||||||||||||
jantxv1n4470dus | 56.4150 | ![]() | 2812 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4470dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム |
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