画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZS55B18 RXG | - | ![]() | 7677 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 18 v | 50オーム | |||||||||||
![]() | 1N5932P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 2970 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5932 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | |||||||||||
![]() | 1N970B | 0.1700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N970B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 33オーム | ||||||||||||||
![]() | MM5Z6V2T5G | 0.2300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MM5Z6 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | 1n827aur/tr | 10.4400 | ![]() | 8539 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | RS203M | 0.5500 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | Rectron USA | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 シップ、rs-2m | 標準 | RS-2M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-RS203M | ear99 | 8541.10.0080 | 2,700 | 1.05 V @ 2 a | 200 Na @ 200 V | 2 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | BZX85C7V5-TR | 0.0475 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C7V5 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | BZX84C30_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZX84C30_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||
![]() | CMHZ4679 BK | - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1514-CMHZ4679BK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 2 v | ||||||||||||||
![]() | BZD27C200P-M-08 | - | ![]() | 3292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C200 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 150 V | 200 v | 500オーム | |||||||||||
![]() | DB101 | 0.3200 | ![]() | 8552 | 0.00000000 | Rectron USA | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.321 "、8.15mm) | 標準 | DB-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-DB101 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1 V @ 1 a | 1 µA @ 50 V | 1 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||
![]() | MMSZ5253B-AU_R1_000A1 | 0.0270 | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5253 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4751A A0G | - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4751 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | ||||||||||||
![]() | BZX84-C11/LF1VL | - | ![]() | 9893 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C11 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934069417235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||
![]() | jantx1n4957us/tr | 9.7650 | ![]() | 7032 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4957us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||
![]() | QR406_T0_00001 | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | QR406 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 3757-QR406_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.45 V @ 4 a | 60 ns | 3 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 4a | - | |||||||||
![]() | SE60PWDCHM3/i | 0.2985 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | SE60 | 標準 | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-SE60PWDCHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 3 a | 1.2 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 3a | 22PF @ 4V、1MHz | ||||||||
![]() | SR309H | - | ![]() | 6154 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR309HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | MAZS062GML | - | ![]() | 4190 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | - | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MAZS062 | 150 MW | SSMINI2-F4 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 200 Na @ 4 V | 6.2 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | MPP4402-206/tr | 5.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MPP4402-206/tr | ear99 | 8541.10.0060 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5527dur-1 | 61.9050 | ![]() | 8162 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5527 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||||||
BZX84C9V1-HE3-08 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C9V1 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | GBU6JL-5000E3/51 | - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 600 v | 3.8 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | BZX84W-B75-QF | 0.0312 | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx84w-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84W-B75-QFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | |||||||||||
![]() | KBP208G | 0.2280 | ![]() | 3867 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | KBP208 | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | KBP208GGS | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 2 a | 10 µA @ 50 V | 2 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
jans1n4479dus | 330.2550 | ![]() | 9490 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4479dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 31.2 v | 39 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5261B_T50A | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5261 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||||
jantx1n5519d-1 | 21.9150 | ![]() | 1473 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5519 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n938bur-1/tr | - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n938bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | TS10P07G | 0.9495 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS10P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 1 kV |
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