画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RBV5008 | 3.9300 | ![]() | 620 | 0.00000000 | EIC半導体Inc。 | - | バッグ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip、RBV-25 | 標準 | RBV-25 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||
![]() | SS15P3S-M3/87A | 0.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS15 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 570 mV @ 15 a | 1 mA @ 30 v | 200°C (最大) | 15a | - | ||||||||||
RS501-G | - | ![]() | 8450 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4-sip rs-5 | 標準 | RS5 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 641-1354 | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 5 a | 10 µA @ 50 V | 5 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | CZRC5362B-G | - | ![]() | 7341 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS準拠 | 641-CZRC5362B-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 21.2 v | 28 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | TS20P07G C2G | - | ![]() | 2057 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS20P07 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 1000 v | 20 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | 1PGSMC5358 | 0.3249 | ![]() | 1854年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5358TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | KBP201G | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | KBP201 | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | KBP201GDI | ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 100 V | 2 a | 単相 | 100 V | ||||||||||
![]() | KBP204 | 0.3750 | ![]() | 8785 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | KBP204GN | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 a | 10 µA @ 50 V | 2 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||
![]() | 91MT120KB | - | ![]() | 6644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | MTK | 91MT120 | 標準 | MTK | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *91MT120KB | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 a | 3フェーズ | 1.2 kv | ||||||||||||
![]() | GBU10005 | 1.3635 | ![]() | 4920 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU10005 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 a | 5 µA @ 50 V | 10 a | 単相 | 50 v | |||||||||||
YBS2204G | 0.4230 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、フラットリード | YBS2204 | 標準 | YBS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 970 mV @ 2.2 a | 5 µA @ 400 V | 2.2 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||
G2SBA60-E3/45 | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | G2SBA60 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | MSDM150-18 | - | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | M3-1 | 標準 | M3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.4 V @ 150 a | 500 µA @ 1800 V | 150 a | 3フェーズ | 1.8 kv | |||||||||||||
KBU6M-E4/51 | 4.8200 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU6 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | KBU6ME451 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 1000 v | 6 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | BZT585B6V2TQ-7 | 0.0564 | ![]() | 4626 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-BZT585B6V2TQ-7TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||
![]() | VS-112MT80KPBF | 99.4453 | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | mt-kモジュール | 112MT80 | 標準 | mt-k | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs112mt80kpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 a | 3フェーズ | 800 V | ||||||||||||
GBPC2502M T0G | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4平方、GBPC-M | GBPC2502 | 標準 | GBPC-M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 200 V | 25 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | G3SBA60-E3/45 | 1.5700 | ![]() | 5127 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | G3SBA60 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 600 v | 2.3 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | GBU6G-E3/51 | 2.1600 | ![]() | 4096 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 3.8 a | 単相 | 400 V | |||||||||||
![]() | DF04SA-E3/45 | 0.2751 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF04 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V | |||||||||||
DMA90U1800LB-TUB | 24.7285 | ![]() | 3321 | 0.00000000 | ixys | ISOPLUS™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 9-SMDモジュール | DMA90 | 標準 | ISOPLUS-SMPD™.B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.26 V @ 30 a | 40 µA @ 1800 v | 90 a | 3フェーズ | 1.8 kv | ||||||||||||
![]() | GBU4D-E3/45 | 1.9500 | ![]() | 728 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU4 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 3 a | 単相 | 200 v | |||||||||||
![]() | VS-HFA08TB120SL-M3 | 0.8286 | ![]() | 3249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | HFA08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 4.3 V @ 16 a | 95 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
KBU6B-E4/51 | 4.8200 | ![]() | 232 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU6 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | KBU6BE451 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 6 a | 単相 | 100 V | |||||||||||
GBPC5001 T0G | - | ![]() | 2479 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC40 | GBPC5001 | 標準 | GBPC40 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 100 V | 50 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||
![]() | ZPD11B | 0.0225 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -50°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2796-ZPD11BTB | 8541.10.0000 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 6オーム | ||||||||||||
![]() | GBU6D-E3/45 | 2.2100 | ![]() | 636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 3 a | 5 µA @ 200 V | 3.8 a | 単相 | 200 v | |||||||||||
![]() | rh06-t | 0.6700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | RH06 | 標準 | 4-minidip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1.15 V @ 400 MA | 5 µA @ 600 v | 500 Ma | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | 113MT120KB | - | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | MTK | 113MT120 | 標準 | MTK | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *113MT120KB | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 mA @ 1200 v | 110 a | 3フェーズ | 1.2 kv | |||||||||||
![]() | MP501W | - | ![]() | 7602 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4 平方メートル、MP-50W | MP501 | 標準 | MP-50W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | mp501wms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 25 a | 10 µA @ 100 V | 50 a | 単相 | 100 V |
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