画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UES1104 | 23.4000 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | UES1104 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | BZT52B33 | 0.0412 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B33TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 v | 33 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | BR2506W | 1.0650 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BR2506W | ear99 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT25U80SLP-13 | - | ![]() | 3998 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | Trenchsbr | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 8-powertdfn | SBRT25 | スーパーバリア | PowerDi5060-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 610 mv @ 25 a | 500 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 25a | - | ||||||||||
![]() | NTE5196AK | 12.8800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5196AK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 v | 4オーム | |||||||||||||||
![]() | gd20mps12a | 8.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | GD20 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1242-GD20MPS12A | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 42a | 737pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N3267 | 151.2750 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3267 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3267MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 400 V | -65°C〜190°C | 275a | - | ||||||||||
![]() | jantx1n4959d | 29.4600 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4959 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | 1N5393-TP | - | ![]() | 6795 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5393 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | R50480 | 158.8200 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | - | 影響を受けていない | 150-R50480 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.25 V @ 1000 a | 75 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 300a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52-B11_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-B11_R1_00001TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 20オーム | ||||||||||
![]() | S8GC M6 | - | ![]() | 2819 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S8GCM6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SZBZX84C62LT1G | 0.2000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onsemi | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||
![]() | DZ2S051M0L | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±2.5% | - | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | DZ2S051 | 150 MW | SSMINI2-F5-B | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | CZRB3051-G | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CZRB3051 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | BZX85C20 | 1.0000 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C20 | 1.3 w | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 15 V | 20 v | 24オーム | |||||||||||
![]() | MBR20200PT | 0.7430 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | ショットキー | TO-247 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MBR20200PTTR | ear99 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 900 mV @ 10 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | SK59C R6 | - | ![]() | 9429 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK59CR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
BZD27C6V8PHRVG | - | ![]() | 6893 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5370AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 8163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5370 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 v | 56 v | 35オーム | |||||||||||
![]() | BZX84C3V9W-TP | 0.0426 | ![]() | 7717 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84C3V9 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | 353-BZX84C3V9W-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | RB168VYM-40FHTR | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | RB168 | ショットキー | tumd2m | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 790 mV @ 1 a | 6.7 ns | 500 NA @ 40 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||
![]() | MMSZ5251BHE3-TP | 0.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5251 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||
![]() | dap202umtl | 0.3400 | ![]() | 168 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-85 | DAP202 | 標準 | umd3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | 1N4982 | - | ![]() | 5191 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4982 | 5 W | 軸 | ダウンロード | 適用できない | 1N4982S | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 76 v | 100 V | 110オーム | |||||||||||||
![]() | cmoz27v tr pbfree | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | CMOZ27 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | 1SMB3EZ13-AU_R1_000A1 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB3 | 3 W | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | ZMM5235B-7 | - | ![]() | 3705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | ZMM52 | 500 MW | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n4980us | - | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 1N4980 | 5 W | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 62.2 v | 82 v | 80オーム | |||||||||||||||
jantxv1n971c-1/tr | 8.0332 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n971c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41オーム |
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