画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jans1n4490dus | 330.2550 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4490dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 88 v | 110 v | 300オーム | ||||||||||||
![]() | CS2G-E3/h | - | ![]() | 3189 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CS2 | 標準 | do-214aa | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 2 a | 2.1 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZV85-C56,113 | 0.3900 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZV85-C56 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 39 v | 56 v | 150オーム | |||||||||
![]() | SK85C M6 | - | ![]() | 8804 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK85CM6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 750 mv @ 8 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | janhca1n963c | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n963c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | |||||||||||
1N5540D | 5.6850 | ![]() | 4472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5540D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 18 v | 20 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | 1n827a tr | - | ![]() | 3631 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1514-1N827ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||
jans1n825-1 | 125.8050 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | v8p10hm3_a/i | 0.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V8p10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 680 mV @ 8 a | 70 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | VS-78-4789PBF | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 78-4789 | - | 112-VS-78-4789PBF | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GLL4738A-E3/97 | 0.3168 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | GLL4738 | 1 W | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||
![]() | VS-10ETF12SPBF | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 10etf12 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS10ETF12SPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.33 V @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||||||
![]() | RGP02-12E-E3/54 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1200 v | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||
UES1104 | 23.4000 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | UES1104 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||
![]() | BZT52B33 | 0.0412 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B33TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 v | 33 v | 80オーム | |||||||||
![]() | BR2506W | 1.0650 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BR2506W | ear99 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | SBRT25U80SLP-13 | - | ![]() | 3998 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | Trenchsbr | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 8-powertdfn | SBRT25 | スーパーバリア | PowerDi5060-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 610 mv @ 25 a | 500 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 25a | - | ||||||||
![]() | NTE5196AK | 12.8800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5196AK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | gd20mps12a | 8.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | GD20 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1242-GD20MPS12A | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 42a | 737pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | 1N3267 | 151.2750 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3267 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3267MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 400 V | -65°C〜190°C | 275a | - | ||||||||
![]() | jantx1n4959d | 29.4600 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4959 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 2.5オーム | |||||||||
![]() | 1N5393-TP | - | ![]() | 6795 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5393 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | R50480 | 158.8200 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | - | 影響を受けていない | 150-R50480 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.25 V @ 1000 a | 75 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 300a | - | ||||||||||
![]() | BZT52-B11_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-B11_R1_00001TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 20オーム | ||||||||
![]() | S8GC M6 | - | ![]() | 2819 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S8GCM6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 985 mV @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||
jantx1n5618us/tr | 9.1500 | ![]() | 8399 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5618us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C〜200°C | 1a | - | |||||||||
![]() | SZBZX84C62LT1G | 0.2000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onsemi | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||
![]() | DZ2S051M0L | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±2.5% | - | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | DZ2S051 | 150 MW | SSMINI2-F5-B | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||
![]() | CZRB3051-G | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CZRB3051 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 45オーム | |||||||||
![]() | BZX85C20 | 1.0000 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C20 | 1.3 w | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 15 V | 20 v | 24オーム |
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