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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5227C-G3-08	0.0483	RFQ	7012	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5227		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						15 µA @ 1 V				3.6 v	24オーム
jantxv1n4478	-	RFQ	3774	Semtech Corporation	MIL-PRF-19500/406	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	軸	ダウンロード				600-jantxv1n4478	ear99	8541.10.0050	1						50 Na @ 28.8 v				36 v	27オーム
1PGSMB5956HR5G	-	RFQ	5874	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1PGSMB5956		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	850						1 µA @ 152 v				200 v	1200オーム
BZT52C3V3-E3-08	0.2700	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C3V3		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000										3.3 v	80オーム
PMEG1201AESFC/S500315	0.0400	RFQ	72	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	9,000
ES1JL MTG	-	RFQ	2657	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1J	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	8PF @ 1V、1MHz
SMZ120	0.0772	RFQ	5186	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	do-213ab 、メルフ			2 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-SMZ120TR		8541.10.0000	5,000						1 µA @ 60 V				120 v	80オーム
FR153GP-AP	-	RFQ	5893	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	FR153	標準		DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	200 v	1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
NZX36C 、133	0.0263	RFQ	9621	Nexperia USA Inc.	NZX	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	NZX36		500 MW	ALF2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		50 Na @ 25.2 v				37.2 v	140オーム
DZ23C6V8-HE3_A-08	-	RFQ	2191	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C6V8-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード					100 Na @ 3 V				6.8 v	4.5オーム
FFPF30U20STU	-	RFQ	7827	onsemi	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	FFPF30	標準		TO-220F-2L	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	200 v	1.2 V @ 30 a	40 ns	30 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	30a	-
BZG03C91TR	-	RFQ	4606	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 68 v				91 v	200オーム
S1AHR3G	-	RFQ	9930	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1A	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		標準回復> 500ns	50 v	1.1 V @ 1 a	1.5 µs	1 µA @ 50 V	-55°C〜175°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
MMSZ5263B-E3-08	0.2700	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5263		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						100 Na @ 43 v				56 v	150オーム
SS32-E3/9AT	0.6000	RFQ	56	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS32	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns	20 v	500 mV @ 3 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	3a	-
BZT52-C15X	0.2200	RFQ	8683	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.1％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.5 v				14.7 v	15オーム
S120	0.0260	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-S120TR	ear99		3,000
VS-30WQ04FNTR-M3	0.6400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	30WQ04	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	40 v	530 mv @ 3 a		2 MA @ 40 V	-40°C〜150°C	3.5a	189pf @ 5V、1MHz
1N5532d/tr	5.8650	RFQ	4265	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5532d/tr	ear99	8541.10.0050	161				1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.8 v				12 v	90オーム
SML4743HE3/61	-	RFQ	7182	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4743		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800						5 µA @ 9.9 v				13 v	10オーム
MMBZ5258BS-7-F	0.4100	RFQ	5	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	MMBZ5258		200 MW	SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	2独立			900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 27 V				36 v	70オーム
1N5825	7.3340	RFQ	6130	Solid State Inc.	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		ショットキー		軸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N5825	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns	40 v	380 mV @ 5 a		10 ma @ 40 v	-65°C〜125°C	15a	-
BZT52C43HE3-TP	0.2400	RFQ	5	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.98％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C43		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 32 v				43 v	100オーム
1n5987ur/tr	3.7350	RFQ	6049	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-				150-1N5987UR/TR	ear99	8541.10.0050	264				1.1 V @ 200 mA						3 v
CDLL4972	11.1450	RFQ	5356	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDLL4972	ear99	8541.10.0050	1
MM1Z4694	0.0404	RFQ	4068	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123F			500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-MM1Z4694TR		8541.10.0000	24,000				900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 6.2 v				8.2 v
Ru 3m	-	RFQ	3473	サンケン	-	バルク	廃止			穴を通して	軸		標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	400 V	1.1 V @ 1.5 a	400 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1.5a	-
MB39_R1_00001	0.1404	RFQ	1173	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	MB39	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200,000		高速回復= <500ns	90 v	800 mV @ 3 a		50 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	3a	140pf @ 4V、1MHz
MMBZ5237C-E3-18	-	RFQ	6650	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5237		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						3 µA @ 6.5 v				8.2 v	8オーム
1N5952bur-1/tr	7.7200	RFQ	6349	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.25 w	do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	125				1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 98.9 v				130 v	450オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²