RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N6622US/TR	8.9400	RFQ	8307	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準		a-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6622US/TR	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		660 v		1.4 V @ 1.2 a	30 ns	500 NA @ 660 v	-65°C〜150°C	1.2a	10pf @ 10V、1MHz
MBRF2045CTP	0.7900	RFQ	975	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF2045	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	-	840 mV @ 20 a		1 MA @ 45 v	-55°C〜150°C
SS10P3C-M3/86A	0.9100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	5a	530 mV @ 5 a		550 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
vuo52-18no1	33.9038	RFQ	9290	ixys	-	箱	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	V1-A	vuo52	標準		V1-A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	24						1.13 V @ 20 a		40 µA @ 1800 v		54 a		3フェーズ	1.8 kv
CDLL5264B	3.5850	RFQ	3129	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5264		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v						60 V	170オーム
G3S06505A	-	RFQ	2264	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220AC	-			未定義のベンダー	4436-G3S06505A			1		回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 5 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	22.6a	424pf @ 0V、1MHz
AZ23C3V6_R1_00001	0.2700	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C3V6		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-AZ23C3V6_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通アノード							15 µA @ 1 V						3.6 v	95オーム
jantxv1n3037d-1/tr	32.2392	RFQ	9038	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3037d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 38.8 v						51 v	95オーム
DFLS230-7	0.6100	RFQ	68	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi®123	DFLS230	ショットキー		Powerdi™123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		30 V		490 mV @ 2 a		1 mA @ 30 v	-55°C〜125°C	2a	75pf @ 10V、1MHz
NTE534	24.0000	RFQ	4966	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		標準		モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠			2368-NTE534	ear99	8541.10.0080	1		-	3ペアシリーズ接続		-				-
VBT3060C-E3/4W	0.6001	RFQ	3962	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	700 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-40°C〜150°C
1N4758AP-TP	0.0806	RFQ	3050	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4758		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	353-1N4758AP-TPTR	ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
1N753C	4.3050	RFQ	4491	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N753C	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						6.2 v	7オーム
SK15B	-	RFQ	9699	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		ショットキー		do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-SK15BTR	ear99	8541.10.0080	6,000		高速回復= <500ns		50 v		750 mv @ 1 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
WNSC6D20650B6J	5.1900	RFQ	5	ウィーン半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	WNSC6	sic （炭化シリコン）ショットキー		d2pak	ダウンロード		3 （168 時間）			ear99	8541.10.0080	800		回復時間なし> 500ma		650 V		1.55 V @ 20 a	0 ns	80 µA @ 650 v	175°C	20a	780pf @ 1V、1MHz
jantxv1n5533cur-1/tr	44.0363	RFQ	5658	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5533cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 11.7 v						13 v	90オーム
jantx1n5531d-1	-	RFQ	7997	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	sicで中止されました	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v						11 v	80オーム
BZX84C7V5S-7-F	0.0756	RFQ	8062	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BZX84		200 MW	SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	BZX84C7V5S-FDITR	ear99	8541.10.0050	3,000	2独立					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15オーム
KBPC25005	-	RFQ	5932	Solid State Inc.	KBPC25	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	シャーシマウント	4 平方、KBPC		標準		KBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-KBPC25005	ear99	8541.10.0080	10						1.2 V @ 12.5 a		10 µA @ 50 V		25 a		単相	50 v
MBR1045CTP	0.7000	RFQ	724	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR104	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	-	700 mV @ 5 a		1 MA @ 45 v	-55°C〜150°C
mur460rlh	-	RFQ	8497	onsemi	SwitchMode™	トレイ	廃止			穴を通して	DO-201AA	MUR46	標準		軸	-	ROHS3準拠	未定義のベンダー	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.28 V @ 4 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
janhca1n4111c	-	RFQ	2316	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4111c	ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.92 v						17 v	100オーム
1N5543B/TR	2.8861	RFQ	1522	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5543B/TR	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v						25 v	110オーム
STPS20SM60CFP	2.9200	RFQ	989	stmicroelectronics	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック	STPS20	ショットキー		TO-220FPAB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	645 mV @ 10 a		40 µA @ 60 V	150°C （最大）
1N5832	10.0000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		ショットキー		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N5832	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns		20 v		520 mV @ 40 a		20 ma @ 20 v	-65°C〜125°C	40a	-
db106st-g	-	RFQ	1496	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DB10	標準		DBS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-DB106ST-GTR	ear99	8541.10.0080	1						1.1 V @ 1 a		10 µA @ 800 V		1 a		単相	800 V
CDBF0530-HF	0.1035	RFQ	8440	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	1005 （2512 メトリック）	CDBF0530	ショットキー		1005/SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000		高速回復= <500ns		20 v		470 mV @ 500 Ma		100 µA @ 20 V	125°C （最大）	500mA	100pf @ 0V、1MHz
BYV410X-600,127	1.7500	RFQ	5	ウィーン半導体	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	byv410	標準		TO-220F	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	10a	2.1 V @ 10 a	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）
byt28b-300he3_a/i	-	RFQ	7488	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	BYT28	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	300 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-40°C〜150°C
fep30ap-e3/45	1.6062	RFQ	8489	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	FEP30	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	15a	950 mV @ 15 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²