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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZD27C6V8P-HE3-18	0.1520	RFQ	7671	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C6V8		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V				6.8 v	3オーム
BZX84-A18,235	0.5100	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-A18		250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 NA @ 700 mV				18 v	45オーム
V60D120C-M3/i	4.4900	RFQ	890	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V60D120	ショットキー		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	30a	960 mV @ 30 a		800 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
BZT52C12-7-F	0.2100	RFQ	23	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V				12 v	25オーム
1 PMT5917CE3/TR7	-	RFQ	3084	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5917		3 W	DO-216AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1.5 v				4.7 v	5オーム
SF11G B0G	-	RFQ	3807	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SF11	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
jantx1n6642ubd	26.4300	RFQ	8511	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N6642	標準		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	高速回復= <500ns		75 v		1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
VS-40CPQ045-N3	4.3500	RFQ	2578	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	40CPQ045	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-40CPQ045-N3GI	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	40a	590 mV @ 40 a		4MA @ 45 v	-55°C〜150°C
BZX55C2V7-TR	0.2400	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C2V7		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V				2.7 v	85オーム
VS-16F60	6.2400	RFQ	2277	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16F60	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.23 V @ 50 a		12 mA @ 600 v	-65°C〜175°C	16a	-
SS16L R3G	0.5600	RFQ	1	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-219AB	SS16	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 1 a		400 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-
DZ2S06200L	-	RFQ	3198	パナソニック電子コンポーネント	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-	表面マウント	SC-79、SOD-523	DZ2S062		150 MW	SSMINI2-F5-B	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 mA		200 Na @ 4 V				6.2 v	30オーム
VBT1060C-E3/8W	0.4493	RFQ	7511	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT1060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	5a	700 mV @ 5 a		700 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
jantx1n986bur-1	6.0900	RFQ	8037	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N986		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 84 v				110 v	750オーム
1N4467 BK PBFREE	0.8250	RFQ	7507	Corp	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,000							200 Na @ 9.6 v				12 v	7オーム
BZT52-C43-QX	0.0370	RFQ	6500	Nexperia USA Inc.	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.98％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123	BZT52		350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠			1727-BZT52-C43-QXTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 30.1 v				43 v	80オーム
jans1n4464d	258.8850	RFQ	7610	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		300 NA @ 5.46 v				9.1 v	4オーム
MMSZ5272BT3	-	RFQ	2772	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ527		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 84 v				110 v	750オーム
1N6314	8.4150	RFQ	3061	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6314		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V				3.9 v	23オーム
CDLL3044	15.3000	RFQ	1557	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3044		1 W	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 76 v				100 V	350オーム
MBRF30060	-	RFQ	2330	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	MBRF3006	ショットキー		TO-244AB	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	150a	750 mV @ 150 a		1 MA @ 60 v	-55°C〜150°C
UZ7807	468.9900	RFQ	5324	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-			影響を受けていない	150-UZ7807	ear99	8541.10.0050	1							800 µA @ 5.4 v				7.5 v	0.7オーム
1N5361BE3/TR12	-	RFQ	9187	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5361		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 19.4 v				27 v	5オーム
A177RM	-	RFQ	1191	Powerex Inc.	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	A177	標準、逆極性		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V			2.3 µs		-40°C〜125°C	100a	-
MBR30H100CTF-E1	-	RFQ	5657	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック		ショットキー		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	15a	800 mV @ 15 a		4.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
20ETF12FP	-	RFQ	1085	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ETF12	標準		TO-220ACフルパック	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1200 v		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
DD261N22KHPSA1	186.6100	RFQ	3	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	DD261N22	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	2200 v	260a	1.42 V @ 800 a		40 mA @ 2200 v	-40°C〜150°C
BZG05C56TR3	-	RFQ	5493	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v				56 v	2000年
jans1n6314	114.5850	RFQ	1919年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V				3.9 v	23オーム
BYQ28E-200,127	0.7600	RFQ	509	ウィーン半導体	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	byq28	標準		TO-220AB	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.25 V @ 10 a	25 ns	10 µA @ 200 v	150°C （最大）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²