画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4680-TP | - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4680 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 2.2 v | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n7048-1 | 11.2350 | ![]() | 5003 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GS2MHE3-LTP | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | GS2M | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 2 a | 4 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5712UR-1 | 12.1050 | ![]() | 7953 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 1N5712 | ショットキー | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 16 v | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | 75ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jans1n4493 | 137.4000 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n757cur-1/tr | 9.8021 | ![]() | 7681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n757cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | MURS240T3G | 0.6400 | ![]() | 2574 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS240 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 2 a | 65 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | SS510-HF | 0.1508 | ![]() | 2890 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS510 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 5 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 300pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | PDZ6.2BGW115 | 1.0000 | ![]() | 4352 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD18P-T2-AZ | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ルネサス | - | バルク | 廃止 | ±6.39% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-RD18P-T2-AZ | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 13 V | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX84B10VLT116 | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | jan1n6633dus/tr | - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | e-melf | ダウンロード | 150-jan1n6633dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | CMR3U-01 BK PBFREE | 0.1836 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | CMR3U-01 | 標準 | SMC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | SA261 | 0.1775 | ![]() | 6871 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 標準 | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-SA261TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.8 V @ 2 a | 500 ns | 5 µA @ 1200 v | -50°C〜175°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | jantx1n4981c | 18.2550 | ![]() | 4131 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4981 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 69.2 v | 91 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | KBPM310G | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | KBPM310GGN | ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 50 V | 3 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | BZT52C12Q-7-F | 0.0384 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.42% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 370 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-BZT52C12Q-7-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | GBU6DL-5300E3/51 | - | ![]() | 2124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 3.8 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||
![]() | CZRF20VB-HF | - | ![]() | 9955 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CZRF20 | 200 MW | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 48オーム | |||||||||||||
![]() | GBL06L-6870E3/51 | - | ![]() | 5070 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBL06 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 600 v | 3 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | RKD704KP #R5 | 0.0900 | ![]() | 270 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | RKD704 | ショットキー | MP6 | - | 適用できない | ear99 | 0000.00.0000 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 340 mV @ 20 ma | 50 µA @ 30 V | 125°C (最大) | 50ma | 5PF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N6013UR-1 | 3.5850 | ![]() | 3454 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6013 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
1N6073 | - | ![]() | 1660 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 2.04 V @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜155°C | 850ma | - | |||||||||||||
![]() | SMBJ4739AE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 4225 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4739 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | STPS3170AF | 0.5800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ecopack® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ac 、maフラットリード | STPS3170 | ショットキー | smaflat | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 497-15318-2 | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 170 v | 820 mV @ 3 a | 4 µA @ 170 v | -40°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | VS-MBR2535CT-1PBF | - | ![]() | 4925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | MBR25 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSMBR2535CT1PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 820 mv @ 15 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | UZ7707 | 468.9900 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7707 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 800 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 0.7オーム | ||||||||||||||||
![]() | S5JC-13-F | 0.5500 | ![]() | 87 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5J | 標準 | SMC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 5 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
jantx1n5518c-1/tr | 17.4496 | ![]() | 6809 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5518c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 26オーム | |||||||||||||||
![]() | CD1005-Z9V1 | - | ![]() | 3481 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CD1005 | 200 MW | 1005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム |
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