画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STPSC6H12B-TR1 | 1.9398 | ![]() | 5785 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | STPSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.9 V @ 6 a | 0 ns | 400 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 6a | 330pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | MF150K06F2N | 28.0963 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | f2n | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MF150K06F2N | ear99 | 8 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 150a | 1.6 V @ 150 a | 130 ns | 1 MA @ 600 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | CLL4104 BK TIN/LEAD | 0.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Corp | - | 箱 | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | |||||||||||||||
jantxv1n6309c | 36.0300 | ![]() | 9646 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6309 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||||
jans1n4971us/tr | 86.0502 | ![]() | 5734 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4971us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n4561rb | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/114 | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 50 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 20 µA @ 1 V | 5.6 v | 0.12オーム | |||||||||||||||
![]() | SC3BH05 | - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | -55°C〜150°C | QC端子 | 4Rectangle | SC3BH | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 3 a | 3 µA @ 50 V | 4 a | 3フェーズ | 50 v | ||||||||||||||
![]() | SMBG5384B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5384 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 115 V | 160 v | 350オーム | |||||||||||||
![]() | MMSZ4704T1G | 0.2100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4704 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 12.9 v | 17 v | ||||||||||||||
![]() | HER305GA-G | 0.2463 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-201AA | HER305 | 標準 | DO-27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | CLL4711 BK TIN/LEAD | 2.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Corp | - | 箱 | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.5 V @ 100 MA | 10 Na @ 20.4 v | 27 v | ||||||||||||||||
![]() | aptdf400ak120g | 136.6900 | ![]() | 7040 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF400 | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 470a | 3 V @ 400 a | 385 ns | 250 µA @ 1200 V | ||||||||||||
![]() | HZU5.6B2TRF-EQ | 0.1300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF10150 | - | ![]() | 6191 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | ショットキー | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRAF10150 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | 1N4454UR | 2.6400 | ![]() | 6422 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準、逆極性 | DO-213AA | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4454ur | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜175°C | 200mA | - | |||||||||||||
![]() | ABZT52C12-HF | 0.0690 | ![]() | 7197 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.42% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | ABZT52 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS準拠 | 641-ABZT52C12-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | dth1206d | 1.0100 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | to220AC wx) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-dth1206d | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 12 a | 30 ns | 45 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||
![]() | MBRB15H45CTHE3/81 | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB15 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 7.5a | 630 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 45 v | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | 1N6769R | 205.5600 | ![]() | 5256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-257-3 | 1N6769 | 標準、逆極性 | TO-257 | - | 影響を受けていない | 150-1N6769R | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 100 V | 8a(dc) | 1.06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 80 V | - | ||||||||||||
![]() | DSP45-12AZ-TRL | 5.5512 | ![]() | 8490 | 0.00000000 | ixys | DSP | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-268-3 | DSP45 | 標準 | TO-268AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-DSP45-12AZ-TRLTR | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 45a | 1.26 V @ 45 a | 40 µA @ 1200 v | -40°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | DCG130x1200NA | 243.9400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | DCG130 | sic (炭化シリコン)ショットキー | SOT-227B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 回復時間なし> 500ma | 2独立 | 1200 v | 64a | 1.8 V @ 60 a | 0 ns | 800 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
DSA30C200PC-TUB | - | ![]() | 1126 | 0.00000000 | ixys | DSA30C200PC | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | DSA30C200 | ショットキー | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-DSA30C200PC-TUB | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 940 mV @ 15 a | 250 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | sb3030ct_t0_00001 | 0.4374 | ![]() | 6083 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | SB3020CT | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SB3030 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SB3030CT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 30a | 550 mV @ 15 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | |||||||||||
![]() | HER205G-TP | 0.0618 | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | HER205 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | Jan1n3042b-1 | 9.2700 | ![]() | 1837 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N3042 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | MBR10200FCT_T0_00001 | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | MBR10200 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3757-MBR10200FCT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 900 mV @ 5 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | HS3A R6G | - | ![]() | 1511 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS3AR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
CDLL5932D | 11.7300 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5932 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | ||||||||||||||
![]() | SFT11GHA0G | - | ![]() | 5901 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SFT11 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBRB20H100CT-E3/45 | 2.1500 | ![]() | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 770 mV @ 10 a | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C |
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