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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N4744ATR	0.0300	RFQ	1621	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	6,867								5 µA @ 11.4 v				15 V	14オーム
BAS16LD 、315	0.2700	RFQ	436	Nexperia USA Inc.	aec-q101、bas16	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-xdfn	BAS16	標準		DFN1006D-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns		100 V		1.25 V @ 150 MA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0V、1MHz
jans1n4470cus/tr	283.9800	RFQ	5363	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jans1n4470cus/tr	ear99	8541.10.0050	50						1.5 V @ 1 a		50 Na @ 12.8 v				16 v	10オーム
BZT52C5V6-HE3-08	0.2800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C5V6		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 1 V				5.6 v	10オーム
SMBJ4754/TR13	0.8700	RFQ	2745	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4754		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 29.7 v				39 v	60オーム
1PGSMB5940	0.1689	RFQ	3077	台湾半導体コーポレーション	1PGSMB59	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AA、SMB			3 W	do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1 µA @ 32.7 v				43 v	53オーム
1N5386B-TP	0.1156	RFQ	5809	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5386		5 W	DO-15	ダウンロード				353-1N5386B-TP	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 137 v				180 v	430オーム
AZ23C8V2-HE3_A-18	-	RFQ	1647	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C8V2-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							700 na @ 5 v				8.2 v	15オーム
BZX84C3V0TS-7-F	0.4300	RFQ	3	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BZX84		200 MW	SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	3独立					900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V				3 v	95オーム
BZX84C5V1W	0.0170	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323			200 MW	SOT-323	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BZX84C5V1WTR	ear99		3,000						1.2 V @ 100 MA		2 µA @ 2 V				5.1 v	60オーム
VS-6TQ035STRR-M3	0.5613	RFQ	9818	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	6tq035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		35 v		600 mV @ 6 a		800 µA @ 35 V	-55°C〜175°C	6a	400pf @ 5v、1MHz
V15K202C-M3/h	0.6542	RFQ	5297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード			影響を受けていない	112-V15K202C-M3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	900 mV @ 7.5 a		50 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
PDZ12B/S911115	0.0200	RFQ	9811	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					ear99	8541.10.0050	4,600
BZX284-B11,115	-	RFQ	7551	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-10	BZX284		400 MW	SOD-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 100 MA		100 Na @ 8 V				11 v	10オーム
jans1n5623	85.4400	RFQ	1061	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/429	バルク	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns				1.6 V @ 3 a	500 ns		-65°C〜200°C	1a	-
BZX55F8V2-TR	-	RFQ	2835	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.2 v				8.2 v	7オーム
PZU20BA-QX	0.3000	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			320 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 100 MA		50 µA @ 15 V				19.97 v	20オーム
jantxv1n992b-1/tr	-	RFQ	5580	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n992b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 152 v				200 v	2.5オーム
S3D10065E	3.4000	RFQ	2	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	S3D10065	sic （炭化シリコン）ショットキー		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	2,500		回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	20 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	10a	621PF @ 0V、1MHz
CD5232A	1.6350	RFQ	4605	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD5232A	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				5.6 v	11オーム
BZX584C4V7HE3-TP	0.0515	RFQ	9533	Micro Commercial Co	aec-q101	バルク	アクティブ	±6.38％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	ダウンロード				353-BZX584C4V7HE3-TP	ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V				20 v	80オーム
JANTX1N3336RB	-	RFQ	5276	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 51.7 v				68 v	8オーム
V12PM63-M3/h	0.3219	RFQ	3381	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V12PM63-M3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		60 V		650 mV @ 12 a		30 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	4.6a	2400pf @ 4V、1MHz
BZX84-C9V1/DG/B3,2	-	RFQ	7763	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934065288235	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V				9.05 v	15オーム
RBR30NS60AFHTL	1.5700	RFQ	680	Rohm Semiconductor	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	RBR30	ショットキー		LPDS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	30a	670 mV @ 15 a		600 µA @ 60 V	150°C （最大）
1N5939bp/TR12	-	RFQ	9899	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5939		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 29.7 v				39 v	45オーム
1n748aur-1/tr	3.1800	RFQ	6597	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	313						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V				3.9 v	20オーム
IDW20G65C5XKSA1	9.0900	RFQ	162	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	IDW20G65	sic （炭化シリコン）ショットキー		PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 20 a	0 ns	210 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	20a	590pf @ 1V、1MHz
1N3175R	216.8850	RFQ	9423	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3175	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3175RMS	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1200 v		1.25 V @ 240 a		75 µA @ 1200 v	-65°C〜200°C	240a	-
MMBZ5243A_R1_00001	0.0189	RFQ	7463	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5243		410 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,252,000								500 NA @ 9.9 v				13 v	13オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²