画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBG5347CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 1609 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5347 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 7.2 v | 10 v | 2オーム | ||||||||||||||||
![]() | S306140 | 49.0050 | ![]() | 1700 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S306140 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4735A-TP | - | ![]() | 1777 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4735 | 1 W | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | ||||||||||||||||
![]() | V10D170CHM3/i | 1.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 170 v | 5a | 900 mV @ 5 a | 50 µA @ 170 v | -40°C〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | BZX55C3V9_T50A | - | ![]() | 1022 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C3 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.3 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | |||||||||||||||||
![]() | VS-STPS1045BTRR-M3 | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | STPS1045 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 10 a | 200 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | 10a | 760pf @ 5v、1MHz | |||||||||||||||
ACGRBT301-HF | 0.1668 | ![]() | 9014 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | ACGRBT301 | 標準 | 2114/do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 3 a | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 23pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
HS1GL RVG | 0.6700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | HS1G | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SM4006PLHE3-TP | 0.0853 | ![]() | 3655 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | SOD-123F | SM4006 | 標準 | SOD-123FL | ダウンロード | 353-SM4006PLHE3-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N4246 | - | ![]() | 7678 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | 適用できない | 1N4246S | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 400 V | - | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | 10BQ060 | - | ![]() | 3146 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 10BQ060 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 600 mV @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 62PF @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
fese8bt-e3/45 | - | ![]() | 3849 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | fese8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3008A | 36.9900 | ![]() | 5557 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3008 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 91.2 v | 120 v | 75オーム | ||||||||||||||||
jantxv1n962d-1 | 12.9750 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N962 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 9.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | HSMP-489b-blkg | - | ![]() | 5473 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | SC-70、SOT-323 | HSMP-489B | SOT-323 | ダウンロード | 2a (4 週間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 a | 0.375pf @ 5V、1MHz | ピン -シングル | 100V | 2.5OHM @ 5MA 、100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BYV98-100-TAP | 0.5643 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byv98 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.1 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 4a | - | ||||||||||||||
![]() | SMBJ5337AE3/TR13 | - | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5337 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 2オーム | |||||||||||||||||
CDLL3043B | 15.3000 | ![]() | 6067 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3043 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 69.2 v | 91 v | 250オーム | |||||||||||||||||
jantxv1n5534b-1/tr | 8.2327 | ![]() | 3325 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5534b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
1N4756A BK PBFREE | 0.0522 | ![]() | 5391 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4780/tr | 16.0500 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 0°C〜75°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4780/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 v | 100オーム | |||||||||||||||||||
1SMA4742 | 0.0935 | ![]() | 7017 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4742 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||||||||
![]() | CMSZDA12V TR PBFREE | 0.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | CMSZDA12 | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | UF10CCT-E3/4W | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UF10 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | SK215A | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK215 | ショットキー | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 2 a | 500 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 2a | 240pf @ 5v、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N5388B | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5388 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 144 v | 200 v | 480オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMBZ5232BV_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MMBZ5232 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11オーム | |||||||||||||||||
![]() | V10D120C-M3/i | 0.9900 | ![]() | 8112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V10D120 | ショットキー | SMPD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 5a | 940 mV @ 5 a | 500 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | BZX84C9V1HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C9V1 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-BZX84C9V1HE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N3070 | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N3070 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 100 MA | 50 ns | 100 Na @ 175 v | 175°C (最大) | 500mA | 5PF @ 0V、1MHz |
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