画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBJ1510 | - | ![]() | 3300 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | sicで中止されました | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ1510 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | GBJ1510DI | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 7.5 a | 10 µA @ 1000 v | 15 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | vs-murb1020cttrlp | - | ![]() | 4658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | murb1020 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 990 mV @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | |||||||||||
BZX84-C2V7-QVL | 0.0250 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-C2V7-QVLTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | SRA2090HC0G | - | ![]() | 3529 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | SRA2090 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 mv @ 20 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52H-A51-QX | 0.1443 | ![]() | 9413 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZT52H-A51-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 100オーム | |||||||||||||
CMZ5924B TR13 PBFREE | 0.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CMZ5924 | 1.5 w | SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 7 V | 9.1 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | FES6G | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 6 a | 25 ns | 2 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3807bhm3/h | - | ![]() | 1825年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ38 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | ||||||||||||||
![]() | HTZ270H40K | - | ![]() | 2785 | 0.00000000 | ixys | HTZ270H | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | HTZ270 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 40000 v | 3.4a | 46 V @ 12 a | 500 µA @ 40000 v | |||||||||||||
jans1n6315dus | 412.1550 | ![]() | 3466 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6315 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | PZU13B3A 、115 | 0.0300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | SMBT1232LT3G | 0.0200 | ![]() | 205 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M82ZH | 0.1667 | ![]() | 2415 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M82 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 62.2 v | 82 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | CDBHA15150-HF | 0.4347 | ![]() | 6609 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | CDBHA15150 | ショットキー | TO-277B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-CDBHA15150-HFTR | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 850 mV @ 15 a | 250 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||
kbu6d | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU6 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 200 v | 6 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||
![]() | MBR1050 | 0.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR105 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 437 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 10a | 400pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SS10p3Clhm3_a/i | 0.4084 | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10p3 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 5a | 530 mV @ 5 a | 550 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | DDZ9700-7-79 | - | ![]() | 6557 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | DDZ9700 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DDZ9700-7-79DI | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
KBU2504-G | 2.5400 | ![]() | 69 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU2504 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 400 V | 3.6 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | bzx584b8v2 rkg | - | ![]() | 6966 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n755aur-1 | 4.2600 | ![]() | 5717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | jantx1n755aur-1ms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||||
ES1DLラグ | 0.2408 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SR509HA0G | - | ![]() | 7986 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR509 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | TLZ12-GS08 | 0.0335 | ![]() | 4689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ12 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 12 v | 12オーム | ||||||||||||||
![]() | QZX363C6V8-7-G | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | QZX363 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | QZX363C6V8-7-GDI | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
Jan1n6313us/tr | 15.4350 | ![]() | 9084 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jan1n6313us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 25オーム | |||||||||||||||||
![]() | ES3C M6 | - | ![]() | 1998年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES3CM6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | HRU0302ATRF-E | 0.1700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | dflz9v1-tp | 0.0494 | ![]() | 5253 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | dflz9v1 | 1 W | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | S16M | 4.5900 | ![]() | 4308 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | S16MGN | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 16 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - |
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