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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX884-C15,315 NXP USA Inc. BZX884-C15,315 -
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
ESH3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3DHE3_A/i 0.3208
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc ESH3 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,500 高速回復= <500ns 200 v 900 mV @ 3 a 40 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜175°C 3a 70pf @ 4V、1MHz
RL206 SMC Diode Solutions RL206 -
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 ECAD 3891 0.00000000 SMCダイオードソリューション - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 RL20 標準 DO-15 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 800 V 1 V @ 2 a 5 µA @ 800 V -65°C〜125°C 2a 20pf @ 4V、1MHz
JANS1N6641US Microchip Technology jans1n6641us 84.0000
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 ECAD 9797 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/609 バルク アクティブ 表面マウント sq-melf d 標準 D-5d - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 50 v 1.1 V @ 200 mA 5 ns 100 Na @ 50 V -65°C〜175°C 300mA -
3EZ18D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ18D2E3/TR8 -
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 ECAD 8831 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 3EZ18 3 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 13.7 v 18 v 6オーム
G3S12002A Global Power Technology-GPT G3S12002A 3.8200
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 ECAD 3116 0.00000000 グローバルパワーテクノロジー-gpt - カットテープ（CT） アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC ダウンロード 1 （無制限） リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 7a 136pf @ 0V、1MHz
R6220440HSOO Powerex Inc. R6220440HSOO -
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 ECAD 7529 0.00000000 Powerex Inc. - バルク アクティブ クランプオン do-200aa、a-puk R6220440 標準 DO-200AA 、R62 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 400 V 2 V @ 800 a 1 µs 50 mA @ 400 v 400a -
1N759A onsemi 1N759A -
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 ECAD 2819 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N759 500 MW DO-35 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 12 v 30オーム
HSD119-NKRF-E Renesas Electronics America Inc HSD119-NKRF-E 0.0900
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 ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 8,000
MURH7010 GeneSiC Semiconductor MURH7010 49.5120
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 ECAD 2594 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67 標準 D-67 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 36 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 70 a 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C 70a -
BZD27C20P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C20P-E3-18 0.1356
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 ECAD 6315 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27C テープ＆リール（ tr） アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 15 V 20 v 15オーム
SMBG5929BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5929BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-215AA SMBG5929 2 W SMBG （DO-215AA ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 11.4 v 15 V 9オーム
1N4760AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760AHB0G -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 台湾半導体コーポレーション aec-q101 バルク sicで中止されました ±5％ -55°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4760 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 51.7 v 68 v 150オーム
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ シャーシマウント 3つの塔 MBRT30045 ショットキー 3つの塔 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1073 ear99 8541.10.0080 40 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 45 v 150a 750 mV @ 150 a 1 mA @ 20 v -55°C〜150°C
CN648 TR Central Semiconductor Corp CN648 TR -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 5,000 標準回復> 500ns 500 V 1 V @ 400 Ma 200 na @ 500 v -65°C〜150°C 400mA 11pf @ 12V、1MHz
PDZVTR6.8B Rohm Semiconductor PDZVTR6.8B 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm Semiconductor PDZV テープ＆リール（ tr） アクティブ ±6.21％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-128 PDZVTR6.8 1 W PMDTM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 3.5 v 7.25 v 6オーム
SIDC06D60F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC06D60F6X1SA3 -
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 ECAD 8368 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 表面マウント 死ぬ SIDC06D60 標準 ホイル上の鋸 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.6 V @ 15 a 27 µA @ 600 v -40°C〜150°C 15a -
RS1004FL SURGE RS1004FL 0.1300
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 うねり aec-q101 、rs10 バッグ アクティブ 表面マウント SOD-123F 標準 SOD-123FL ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2616-RS1004FL 3A001 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 400 V 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 8.2pf @ 4V、1MHz
BAV20,133 NXP USA Inc. bav20,133 0.0200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 高速回復= <500ns 150 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 150 V 175°C （最大） 250ma 5PF @ 0V、1MHz
MD60K16D1 Yangjie Technology MD60K16D1 16.4580
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 ECAD 1 0.00000000 Yangjieテクノロジー - バルク アクティブ シャーシマウント モジュール 標準 D1 - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-MD60K16D1 ear99 10 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 1600 v 60a 1.45 V @ 200 a 5 ma @ 1600 v -40°C〜150°C
BZX84C3V9-7-G Diodes Incorporated BZX84C3V9-7-G -
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 ECAD 6842 0.00000000 ダイオードが組み込まれています * テープ＆リール（ tr） 廃止 BZX84 - 1 （無制限） 影響を受けていない BZX84C3V9-7-GDI ear99 8541.10.0050 3,000
NZX6V8C,133 NXP USA Inc. NZX6V8C 、133 0.0200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
TST30L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30L200CW 2.5200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 TST30 ショットキー TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 200 v 960 mV @ 15 a 100 µA @ 200 V -55°C〜150°C 15a -
BAS40X Yangjie Technology BAS40X 0.0150
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ BAS40 - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-bas40xtr ear99 3,000
BZV85-C68,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C68,113 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZV85-C68 1.3 w DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 mA 50 Na @ 48 v 68 v 200オーム
GBI25B Diotec Semiconductor GBI25B 0.8946
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 ECAD 1411 0.00000000 diotec半導体 - 箱 アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-sip 、GBI 標準 GBI ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 2796-GBI25B 8541.10.0000 500 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 100 V 4.2 a 単相 100 V
ZM4756A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4756A L0G 0.0830
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 ECAD 1153 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ 175°C （TJ） 表面マウント do-213ab 、メルフ ZM4756 1 W メルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 v 47 v 80オーム
S34150 Microchip Technology S34150 49.0050
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 ECAD 9780 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-S34150 1
KBPM302G GeneSiC Semiconductor KBPM302G -
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 ECAD 2888 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない KBPM302GGN ear99 8541.10.0080 900 1.1 V @ 3 a 5 µA @ 50 V 3 a 単相 200 v
JANTXV1N749C-1 Microchip Technology jantxv1n749c-1 11.3850
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 ECAD 6839 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N749 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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