画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UG4A-E3/54 | 0.2366 | ![]() | 6116 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | UG4 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 4a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAT43W-G3-18 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | BAT43 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 450 mv @ 15 ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 7PF @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BYV29B-600PJ | 0.4125 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072015118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||
![]() | ru 2m | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | サンケン | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | 軸 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1.1 a | 400 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 1.1a | - | |||||||||||||||
![]() | 2EZ19D10E3/TR8 | - | ![]() | 6154 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ19 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 14.4 v | 19 v | 11オーム | |||||||||||||||
![]() | 15eth06-1 | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 15eth06 | 標準 | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.2 V @ 15 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | NTE5215AK | 12.8800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5215AK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 68 v | 18オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n756cur-1 | 19.1700 | ![]() | 6038 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5927bg | 3.0300 | ![]() | 1486 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5927 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n4108ur-1 | 12.2700 | ![]() | 3122 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4108 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4753CPE3/TR12 | 1.1550 | ![]() | 3347 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4753 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | |||||||||||||||
![]() | LDR11266 | - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | Pow-R-Blok™モジュール | 標準 | Pow-R-Blok™モジュール | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 660a | 1.4 V @ 1978 a | 50 mA @ 1800 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | SMBG5338A/TR13 | - | ![]() | 5977 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5338 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 1.5オーム | |||||||||||||||
![]() | US2J-TP | 0.4200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | US2J | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | US2J-TPMSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 100 ns | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 2a | 28pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
jantx1n4461c | 18.6900 | ![]() | 7385 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4461 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4.08 v | 6.8 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | S2T-CT | 0.5523 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-S2T-CT | 8541.10.0000 | 15 | 標準回復> 500ns | 1300 v | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1.3 v | -50°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||
300ur5a | - | ![]() | 5021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 300UR5 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *300ur5a | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.4 V @ 942 a | 40 mA @ 50 v | -65°C〜200°C | 300a | - | ||||||||||||||
![]() | 1M110ZHA0G | - | ![]() | 4525 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1M110 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 83.6 v | 110 v | 450オーム | ||||||||||||||||
![]() | MBRTA50040 | - | ![]() | 3638 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 250a | 700 mV @ 250 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | C6D10065A | 6.3700 | ![]() | 390 | 0.00000000 | wolfspeed | Z-REC® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | C6D10065 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1697-C6D10065A | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 37a | 611pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BA783S-HE3-08 | - | ![]() | 7835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SC-76、SOD-323 | BA783 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 Ma | 1.2pf @ 3V、1MHz | ピン -シングル | 35V | 1.2OHM @ 3MA、1GHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N5236B | 0.1600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5236 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | |||||||||||||||
1N4002-G | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4002 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
VS-31DQ10G | - | ![]() | 1764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | 31dq10 | ショットキー | C-16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VS31DQ10G | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 3.3a | 110pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | CDBHM250L-G | 0.3335 | ![]() | 7409 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | TO-269AA | CDBHM250 | ショットキー | MBS-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 700 mV @ 2 a | 1 MA @ 50 V | 2 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||||
jantx1n751c-1/tr | 5.7855 | ![]() | 7046 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n751c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||||||
![]() | SMBG5363BE3/TR13 | 1.1400 | ![]() | 3495 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5363 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 21.6 v | 30 V | 8オーム | |||||||||||||||
1n5525b/tr | 1.9817 | ![]() | 2764 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5525B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | SS23S-E3/61T | 0.4700 | ![]() | 7927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS23 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||
VS-80EBU04HF4 | 6.3100 | ![]() | 215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | Powertab® | 80EBU04 | 標準 | Powertab® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 80 a | 87 ns | 50 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 80a | - |
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