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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
jantx1n3335rb	-	RFQ	4351	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µA @ 47.1 v						62 v	7オーム
3EZ150	0.0995	RFQ	4	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸			3 W	do15/do204ac	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-3EZ150TR		8541.10.0000	4,000								1 µA @ 75 V						150 v	100オーム
1N5407GH A0g	-	RFQ	4724	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1N5407GHA0GTR	ear99	8541.10.0080	1,250		標準回復> 500ns		800 V		1 V @ 3 a		5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	3a	25pf @ 4V、1MHz
SE10FD-M3/h	0.4900	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SE10	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		200 v		1.05 V @ 1 a	780 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	1a	7.5pf @ 4V、1MHz
SMAJ5941CE3/TR13	0.6450	RFQ	6190	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5941		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v						47 v	67オーム
MM3Z5B1-AQ	0.0374	RFQ	3747	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SC-90、SOD-323F			300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-MM3Z5B1-AQTR		8541.10.0000	3,000								2 µA @ 1.5 v						5.1 v	130オーム
AZ23B4V7-HE3_A-18	-	RFQ	9089	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B4V7-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							3 µA @ 2 V						4.7 v	80オーム
jans1n4469/tr	78.4202	RFQ	1744	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4469/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		50 na @ 12 v						15 V	9オーム
MMSZ4708-G3-08	0.0409	RFQ	6492	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4708		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								10 Na @ 16.7 v						22 v
EGP10C-E3/54	0.4900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		150 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
VS-MBRD340TRL-M3	0.2764	RFQ	6615	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD340	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD340TRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 3 a		200 µA @ 20 V	-40°C〜150°C	3a	189pf @ 5V、1MHz
IDD03E60BUMA1	-	RFQ	1689	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	IDD03E60	標準		PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		高速回復= <500ns		600 V		2 V @ 3 a	62 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	7.3a	-
rsfjlhr3g	-	RFQ	8609	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	rsfjl	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1,800		高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 500 Ma	250 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
S3MB	0.1455	RFQ	12	MDD	SMB	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-214AA、SMB		標準		SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,000				1000 V		1.1 V @ 3 a			-55°C〜150°C	3a	35pf @ 4V、1MHz
NRVBA2H100T3G-VF01	-	RFQ	5833	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	NRVBA2	ショットキー		SMA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 2 a		8 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
MP1008G-G	1.0935	RFQ	6799	comchipテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4 平方、MP-8	MP1008	標準		MP8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200						1.1 V @ 5 a		10 µA @ 800 V		10 a		単相	800 V
MMSZ5233B-AU_R1_000A1	0.2400	RFQ	2	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5233		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MMSZ5233B-AU_R1_000A1DKR	ear99	8541.10.0050	3,000								5 µA @ 3.5 v						6 v	7オーム
MBR40045CTR	98.8155	RFQ	6210	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	ツインタワー	MBR40045	ショットキー		ツインタワー	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		MBR40045CTRGN	ear99	8541.10.0080	40		高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	45 v	200a	650 mv @ 200 a		5 ma @ 20 v	-55°C〜150°C
20ETF08STRL	-	RFQ	2747	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	20ETF08	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		800 V		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µA @ 800 V	-40°C〜150°C	20a	-
D255K04BXPSA1	-	RFQ	8456	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			スタッドマウント	DO-205AA	D255K	標準		-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		400 V				20 mA @ 400 v	-40°C〜180°C	255a	-
1N5337AE3/TR8	-	RFQ	3055	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5337		5 W	T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 a		5 µA @ 1 V						4.7 v	2オーム
cdll938b/tr	16.9500	RFQ	5998	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll938b/tr	ear99	8541.10.0050	1														9 v	20オーム
1N986B BK	-	RFQ	2699	Corp	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	2,500						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 83.6 v						110 v	750オーム
KBL610	1.1500	RFQ	5	MDD	KBL	箱	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、kbl		標準		KBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000						1.1 V @ 6 a		10 µA @ 1000 v		250 Ma		単相	1 kV
SMZJ3799bhm3_a/i	0.1815	RFQ	7768	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3799		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 20.6 v						27 v	23オーム
MMSZ5248A_R1_00001	0.1900	RFQ	7	Panjit International Inc.	MMSZ5229A	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123	MMSZ5248		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MMSZ5248A_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 14 V						18 v	21オーム
jan1n6773	-	RFQ	7695	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-257-3		標準		TO-257	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 480 v	-	8a	200pf @ 5V、1MHz
MMBZ5242BLT3	-	RFQ	4043	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ52		225 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 9.1 v						12 v	30オーム
V20K60HM3/h	0.4028	RFQ	4415	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V20K60HM3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		60 V		610 mv @ 20 a		700 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	5a	2910pf @ 4V、1MHz
PZU3.9bl 、315	0.2900	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	PZU3.9		250 MW	DFN1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²