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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
BZD17C62P-E3-18	0.1452	RFQ	9952	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C62		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 47 v						62 v
MA4P7446F-1091T	22.3300	RFQ	1	マコムテクノロジーソリューション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		175°C （TJ）		2-SMD	MA4P7446			-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0060	500		500 Ma	8 W									2.2pf @ 100V 、100MHz	ピン -シングル	600V			500MOHM @ 100MA 、100MHz
SK3200-TP-HF	-	RFQ	7643	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SK3200	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード				353-SK3200-TP-HF	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns				200 v		860 mV @ 3 a		500 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	-
EGP50GHE3/73	-	RFQ	8406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-201AA	EGP50	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns				400 V		1.25 V @ 5 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	5a	75pf @ 4V、1MHz
UX-F5B	3.7760	RFQ	5482	サンケン	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸	UX-F5	標準		軸	ダウンロード	ROHS準拠			1261-ux-f5b	ear99	8541.10.0070	100	高速回復= <500ns				8000 V		14 V @ 350 MA	150 ns	10 µA @ 8000 v	120°C	350ma	-
SS210LH	0.3075	RFQ	5391	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SS210	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-SS210LHTR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns				100 V		850 mV @ 2 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
au2pmhm3_a/h	0.4950	RFQ	1683	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au2	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns				1000 V		2.5 V @ 2 a	75 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1.3a	29pf @ 4V、1MHz
PMEG3002AELD 、315	0.0400	RFQ	640	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PMEG3002				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000
MMBZ5245BT-7-g	-	RFQ	4739	ダイオードが組み込まれています	*	テープ＆リール（ tr）	廃止									-		1 （無制限）	影響を受けていない	MMBZ5245BT-7-GDI	ear99	8541.10.0050	3,000
SMZJ3809BHE3/52	-	RFQ	6737	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ38		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750									5 µA @ 51.7 v						68 v	120オーム
jans1n4617c-1	124.5750	RFQ	1582	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						2.4 v	1400オーム
jantx1n4125dur-1/tr	27.0921	RFQ	6179	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4125dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 35.8 v						47 v	250オーム
cdll4476/tr	10.2410	RFQ	7340	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			1.5 w	DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4476/tr	ear99	8541.10.0050	1							1 V @ 200 mA		50 Na @ 24 V						30 V	20オーム
SMST6004-SOT23-2-2	-	RFQ	4909	マコムテクノロジーソリューション	-	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C（Ta）		TO-236-3	SMST6004			SOT-23	ダウンロード		1 （無制限）		1465-SMST6004-SOT23-2			1		1 a	250 MW									0.6pf @ 0V、1MHz	Schottky -1ペアシリーズ接続	2V			-
jantx1n3033dur-1	46.6950	RFQ	3067	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3033		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 27.4 v						36 v	50オーム
CGRB304-G	0.4900	RFQ	5	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	CGRB304	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns				400 V		1.1 V @ 3 a		5 µA @ 400 V	150°C （最大）	3a	-
MDMA120U1600VA	40.6400	RFQ	6828	ixys	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	MDMA120	標準		V1-A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	238-MDMA120U1600VA	ear99	8541.10.0080	24							1.42 V @ 120 a		40 µA @ 1600 v		120 a		3フェーズ	1.6 kV
BZX8450-C2V4R	0.2000	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 1 V						2.4 v	100オーム
Jan1n3017bur-1/tr	12.3158	RFQ	3458	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3017bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		150 µA @ 5.2 v						7.5 v	4オーム
1N5936bg	6.4050	RFQ	3325	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5936		1.25 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 22.8 v						30 V	28オーム
FFPF04U40DNTU	0.2000	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			1ペア共通カソード	400 V	4a	1.4 V @ 4 a	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
GP10YE-E3/73	-	RFQ	4431	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns				1600 v		1.3 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1600 v	-65°C〜150°C	1a	5PF @ 4V、1MHz
Jan1n3595aur-1	10.8000	RFQ	7331	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/241	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA	1N3595	標準		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				125 v		920 mV @ 100 Ma	3 µs	2 Na @ 125 v	-65°C〜175°C	150ma	-
BZD27C120PHMTG	-	RFQ	8789	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.39％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v						120.5 v	300オーム
3EZ19D5E3/TR12	-	RFQ	9869	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ19		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000							1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 14.4 v						19 v	7オーム
jans1n6637c	-	RFQ	2181	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V						5.1 v	1.5オーム
MMBZ5234B-G3-18	-	RFQ	3400	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5234		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									5 µA @ 4 V						6.2 v	7オーム
3EZ28D5-TP	-	RFQ	7664	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	3EZ28		3 W	DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000							1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 21 V						28 v	12オーム
1N4742AHA0G	-	RFQ	8064	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4742		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000									5 µA @ 22.8 v						12 v	40オーム
CDSU101A	0.3200	RFQ	443	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	CDSU101	標準		0603/SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度				80 v		1 V @ 100 MA	4 ns	50 Na @ 75 v	125°C （最大）	100mA	3PF @ 0.5V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²