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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
rsfgl mhg	-	RFQ	4682	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	rsfgl	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
BZX84B2V4_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.08％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		410 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BZX84B2V4_R1_00001CT	ear99	8541.10.0050	3,000							50 µA @ 1 V				2.4 v	100オーム
SS220F-HF	0.0806	RFQ	2206	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS220	ショットキー		SMAF	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 2 a		300 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	80pf @ 4V、1MHz
vss8d2m6hm3/h	0.5000	RFQ	957	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	S8D2	ショットキー		Slimsmaw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		60 V		480 mV @ 1 a		200 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	2a	430pf @ 4V、1MHz
jan1n4976us/tr	9.3600	RFQ	7577	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4976us/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 42.6 v				56 v	35オーム
byp35a1	1.0878	RFQ	8173	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-208aa		標準		DO-208	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-BYP35A1TR		8541.10.0000	12,000	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 35 a	1.5 µs	100 µA @ 100 V	-50°C〜200°C	35a	-
vs-15eth06-1pbf	-	RFQ	6638	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	15eth06	標準		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs15eth061pbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		2.2 V @ 15 a	29 ns	40 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
NTE5226AK	13.3600	RFQ	20	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa			10 W	DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5226AK	ear99	8541.10.0050	1											150 v	175オーム
ACZRW5236B-G	0.0556	RFQ	4087	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	ACZRW5236		350 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6オーム
BZG03C130TR3	-	RFQ	9401	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 100 V				130 v	300オーム
DZ2433000L	-	RFQ	1328	パナソニック電子コンポーネント	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-	表面マウント	SOD-128	DZ24330		2 W	TMINIP2-F2-B	-	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 26.4 v				33 v	30オーム
UFS340G/TR13	3.0150	RFQ	7936	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	UFS340	標準		DO-215AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		400 V		1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	3a	-
BZT52B16-HE3_A-18	0.0533	RFQ	6245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52B16-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 12 v				16 v	40オーム
PD3Z284C12-7	0.3900	RFQ	3	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	Powerdi™323	PD3Z284		500 MW	Powerdi™323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		100 Na @ 8 V				12 v	10オーム
Jan1n4107dur-1	18.2400	RFQ	6191	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4107			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v				13 v	200オーム
Jan1n3044d-1/tr	19.3515	RFQ	9603	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3044d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v				100 V	350オーム
RB053L-30TE25	0.3115	RFQ	1811	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません			表面マウント	DO-214AC、SMA	RB053	ショットキー		PMDS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		30 V		420 mv @ 3 a		200 µA @ 30 V	125°C （最大）	3a	-
byg10ghm3_a/h	0.1551	RFQ	1161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
SL03-M-08	0.4500	RFQ	1782	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SL03	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		430 mV @ 1.1 a	10 ns	130 µA @ 30 V	125°C （最大）	1.1a	-
jantxv1n748d-1/tr	12.7680	RFQ	3951	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n748d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V				3.9 v	23オーム
JANKCA1N4615C	-	RFQ	5678	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4615c	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				2 v	1250オーム
BY880-200-CT	0.5372	RFQ	1	diotec半導体	-	ストリップ	アクティブ			穴を通して	DO-201AA	BY880	標準		DO-2011	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-by880-200-ct		8541.10.0000	12	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 8 a	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	8a	-
1N5544C	11.3550	RFQ	5979	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5544C	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.2 v				28 v	100オーム
GS2JQ	0.0570	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-GS2JQTR	ear99		3,000
SS2H9-E3/52T	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS2H9	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		90 v		790 mV @ 2 a		10 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	2a	-
1N2246	44.1600	RFQ	7599	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2246	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		50 v		1.2 V @ 30 a		10 µA @ 50 V	-65°C〜200°C	22a	-
jantxv1n6305	-	RFQ	8527	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		1.18 V @ 150 a	60 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	70a
MSCD36-18	-	RFQ	6896	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D1		標準		D1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1800 v	36a	1.25 V @ 100 a		5 ma @ 1800 v
CMDZ5260B BK PBFREE	0.0610	RFQ	5998	Corp	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	CMDZ5260		250 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 33 V				43 v	93オーム
DSS16-01A	2.0000	RFQ	8039	ixys	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	DSS16	ショットキー		TO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	DSS1601A	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 15 a		500 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	16a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²