画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PG4936_R2_00001 | 0.0389 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | PG4936 | 標準 | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 60,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | CDLL987B | 8.1150 | ![]() | 5666 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | CDLL987 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B3V3,215 | - | ![]() | 3419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | cmoz18l tr pbfree | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | CMOZ18 | 250 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 16 V | 18 v | 100オーム | |||||||||||
![]() | MMBZ5256B-TP | 0.0306 | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5256 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 100 MA | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | ||||||||||||
![]() | s5dhe3_a/i | 0.1980 | ![]() | 8900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VI20100SG-E3/4W | 0.6014 | ![]() | 5010 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VI20100 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VI20100SG-E3/4WGI | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.07 V @ 20 a | 350 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||
stps2045ct | 1.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | STPS2045 | ショットキー | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 10a | 570 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | 175°C (最大) | |||||||||||
![]() | jantxv1n4570aur-1 | 8.9100 | ![]() | 1104 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4570 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | MMBZ5230B | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||
![]() | BZX55C33_T50A | - | ![]() | 3267 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C33 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5356CE3/TR8 | 3.3900 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5356 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 13.7 v | 19 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | SK34B | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK34 | ショットキー | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 630 mV @ 3 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 5v、1MHz | ||||||||||
![]() | gdz3v3b-he3-18 | 0.0378 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、gdz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ3V3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 20 µA @ 1 V | 3.3 v | 120オーム | ||||||||||||
![]() | BZG04-33-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 9063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG04-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG04-33 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 33 V | 39 v | ||||||||||||
![]() | SDT05S60XK | 2.3700 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 600 V | 1.7 V @ 5 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 5a | 170pf @ 1V 、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N2985A | 6.5000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2985 | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2985a | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 5 µA @ 15.8 v | 22 v | 5オーム | ||||||||||
1N5518 | 2.7150 | ![]() | 5696 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5518 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 900 mV | 3.3 v | |||||||||||||||
![]() | SMAJ4743A-TP | 0.4200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4743 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 100 MA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | CD981B | 1.5029 | ![]() | 8234 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD981B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 52 v | 68 v | 230オーム | ||||||||||||
MMBZ4685-E3-18 | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4685 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | ||||||||||||||
![]() | US5DC-HF | 0.1426 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | US5D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 641-US5DC-HFTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
jans1n4622d-1/tr | 145.5408 | ![]() | 1537 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4622d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1.65オーム | |||||||||||||
![]() | DSA30C45PB | - | ![]() | 9789 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | DSA30C45 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 750 mV @ 15 a | 300 µA @ 45 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | MMSZ5261B-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5261 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||||
jantx1n5522d-1 | 21.9150 | ![]() | 5243 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5522 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||||
BZX8450-C3V9-QVL | 0.2200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx8450-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | TO-236-3 | BZX8450 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | 95オーム | ||||||||||||
R9G01212XX | - | ![]() | 1274 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | クランプオン | do-200ab、b-puk | R9G01212 | 標準 | do-200ab、b-puk | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.45 V @ 1500 a | 25 µs | 150 mA @ 1200 v | 1200a | - | ||||||||||||
![]() | jans1n4990 | - | ![]() | 6124 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 5 W | 軸 | - | 600-jans1n4990 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 167 v | 220 v | 550オーム | |||||||||||||||
JAN1N4626D-1 | 12.0000 | ![]() | 2805 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4626 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400オーム |
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