画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RL107-N-0-2-BP | - | ![]() | 3599 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | 軸 | RL107 | 標準 | A-405 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | RL107-N-0-2-BPMS | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
stps20m120stn | - | ![]() | 3644 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | STPS20 | ショットキー | TO-220AB狭いリード | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 120 v | 840 mV @ 20 a | 275 µA @ 120 v | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n6304 | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.18 V @ 150 a | 60 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 70a | |||||||||||||||||
![]() | BZX85C16RL | 1.0000 | ![]() | 1528 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BBY5805WH6327XTSA1 | - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BBY58 | PG-SOT323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 5.5pf @ 6V、1MHz | 1ペア共通カソード | 10 v | 3.5 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||
![]() | HER108G A0G | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER108 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | SMZJ3789A-E3/52 | - | ![]() | 5485 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 v | 10 v | 5オーム | |||||||||||||||||
![]() | FFPF08S60STU | - | ![]() | 7332 | 0.00000000 | onsemi | Stealth™II | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | FFPF08 | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.6 V @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | CD214A-B130LF | - | ![]() | 1621 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CD214a | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 3EZ6.2D5RLG | - | ![]() | 7895 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ6.2 | 3 W | 軸 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 1.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | ST30120FC-BP | - | ![]() | 1878年年 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | ST30120 | ショットキー | ITO-220AB | - | 353-ST30120FC-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 120 v | 790 mV @ 15 a | 200 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | 30a | - | |||||||||||||||||
![]() | jans1n4994us/tr | - | ![]() | 7852 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | e-melf | ダウンロード | 150-jans1n4994us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 251 v | 330 v | 1175オーム | |||||||||||||||||||
![]() | SBA140AS-AU_R1_000A1 | 0.3400 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SBA140 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SBA140AS-AU_R1_000A1DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 510 mv @ 1 a | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | FFPF12UP20DNTU | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | FFPF12 | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 1.15 V @ 6 a | 12 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | VS-1N1185R | - | ![]() | 6978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1185 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 150 v | 1.7 V @ 110 a | 10 mA @ 150 v | -65°C〜190°C | 35a | - | |||||||||||||||
![]() | MBR10100CT | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1010 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
BZX84C33-7-F | 0.1900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | MURS160-E3/52T | 0.4900 | ![]() | 769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS160 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 2a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | GBJ25G | 0.8400 | ![]() | 249 | 0.00000000 | うねり | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、KBJ | 標準 | gbj(5S) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2616-GBJ25G | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 400 V | 3.5 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N5351C/TR8 | 3.3900 | ![]() | 2409 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5351 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 10.1 v | 14 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | LY85_BZ84C8V2 | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | 表面マウント | 死ぬ | BZ84C8 | 死ぬ | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
MMBZ5226BW-7 | - | ![]() | 3945 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBZ5226B | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | |||||||||||||||||
jantx1n975dur-1 | 19.4700 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N975 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N3595AUS | 9.7650 | ![]() | 5402 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N3595 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZ1AH36B_R1_00001 | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123H | PZ1AH36 | 1 W | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-PZ1AH36B_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||||||
bzt52b9v1-g rhg | 0.0461 | ![]() | 6229 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||||||||
DHG20I1200PA | 3.5400 | ![]() | 4622 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | DHG20 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.7 V @ 20 a | 75 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||||
![]() | SS8P6C-M3/87A | 0.6600 | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8P6 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 4a | 700 mV @ 4 a | 50 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | VS-VSKC196/12PBF | 66.5793 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | int-a-pak | VSKC196 | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKC19612PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 97.5a | 20 mA @ 1200 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||||
![]() | SGL41-60HE3/96 | 0.6500 | ![]() | 842 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | SGL41 | ショットキー | gl41(do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz |
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