画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84C22 | 0.1600 | ![]() | 8189 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.68% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||
![]() | VBE20-20NO1 | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | v1a-pak | 標準 | v1a-pak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 5.41 V @ 12 a | 750 µA @ 2000 v | 20 a | 単相 | 2 kV | |||||||||||||||||
![]() | cdll4781a/t r | 38.1900 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4781a/t r | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SSL23H | 0.2793 | ![]() | 2420 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SSL23 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 410 mv @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N4125DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4125 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 35.8 v | 47 v | 250オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5244B-TR | 0.1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5244 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | GC2X20MPS12-247 | 16.5525 | ![]() | 9210 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | SIC SC Hottky MPS™ | チューブ | 新しいデザインではありません | 穴を通して | TO-247-3 | GC2x20 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1242-1337 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 90a | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 18 µa @ 1200 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
BZD27C51PHRUG | - | ![]() | 9920 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||||||
![]() | jantxv1n751aur-1/tr | 6.7830 | ![]() | 8537 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n751aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||||||
![]() | BB804SF1E6327HTSA1 | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BB804 | PG-SOT23 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 47.5pf @ 2V、1MHz | 1ペア共通カソード | 18 v | 1.71 | C2/C8 | 200 @ 2V 、100MHz | |||||||||||||||||
![]() | VS-VSKCS330/030 | - | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | VSKCS330 | ショットキー | Add-A-Pak® | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSVSKCS330030 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 1ペア共通カソード | 30 V | 165a | - | |||||||||||||||||
![]() | es1glw | 0.0972 | ![]() | 5549 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-es1glwtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
jans1n6336us/tr | 154.0106 | ![]() | 1869年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n6336us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 25 V | 33 v | 40オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5941 | 0.1467 | ![]() | 2165 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5941 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム | |||||||||||||||||
![]() | NZX12D133 | 0.0200 | ![]() | 8309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,840 | ||||||||||||||||||||||||||||||
1N5539A | 1.8150 | ![]() | 4326 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5539A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16 V | 19 v | ||||||||||||||||||||
BZX84C12-HE3-08 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C12 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N825A | 4.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-1N825A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||||
![]() | BAS21AVD 、135 | 0.4800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | BAS21 | 標準 | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 3独立 | 200 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | 150°C (最大) | ||||||||||||||
![]() | TZQ5229B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 5940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | TZQ5229 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | ||||||||||||||||
![]() | jans1n6345 | 140.1300 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 56 v | 75 v | 180オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BR5010W-G | - | ![]() | 6320 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4 平方、BR-W | 標準 | BR-W | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 1000 v | 50 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | MBR2090PT | 0.5730 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MBR2090PTTR | ear99 | 1,800 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5944AP/TR8 | 1.8600 | ![]() | 9707 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5944 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||||||||
![]() | GDZ3V0B-HG3-18 | 0.0509 | ![]() | 1540 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、GDZ-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ3V0 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 3 v | 120オーム | |||||||||||||||||
![]() | jan1n4119ur-1/tr | 7.8736 | ![]() | 8229 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4119ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 21.3 v | 28 v | 200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX85C6V8-TR | 0.3800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C6V8 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | ZMD3.9 | 0.1260 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1 W | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-Zmd3.9tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 3.9 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4624cur-1 | 165.5850 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n2984b | - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 15.2 v | 20 v | 4オーム |
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