画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSI20H120CW | 2.7100 | ![]() | 879 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | TSI20 | ショットキー | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 10a | 620 mv @ 10 a | 200 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | 1N3267 | - | ![]() | 7030 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3267 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 12 MA @ 400 v | -65°C〜175°C | 160a | - | |||||||||||||||||
![]() | PMEG2005AESFCYL | 0.0300 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-150-M3-08 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG04-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG04-150 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 150 v | 180 v | |||||||||||||||||
![]() | DDZ9691Q-13 | 0.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | DDZ9691 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | |||||||||||||||||
![]() | DDZ23Q-7 | - | ![]() | 3274 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | DDZ23 | 310 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 na @ 19 v | 23.19 v | 35オーム | ||||||||||||||||
![]() | 3N249 | - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3N24 | 標準 | KBPM | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||
![]() | BY329X-1200,127 | - | ![]() | 8730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | BY32 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.85 V @ 20 a | 145 ns | 1 MA @ 1000 v | 150°C (最大) | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | sml4760he3_a/i | 0.2107 | ![]() | 9408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4760 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 51.7 v | 68 v | 150オーム | |||||||||||||||||
![]() | FEPB16BT-E3/45 | 0.8732 | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | jan1n4620dur-1 | 24.4650 | ![]() | 2567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4620 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | ||||||||||||||||
![]() | HSMP-3812-TR2G | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | TO-236-3 | HSMP-3812 | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 a | 0.35pf @ 50V、1MHz | ピン-1ペアシリーズ接続 | 100V | 3OHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C10,235 | - | ![]() | 2160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1660 | - | ![]() | 4761 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | SR1660 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 16a | 700 mV @ 8 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | LSM180JE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | LSM180 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5254C-TAP | 0.0288 | ![]() | 3899 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5254 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||||
![]() | DDZ39DSF-7 | 0.0286 | ![]() | 2951 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | DDZ39 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 30 V | 37.6 v | 85オーム | ||||||||||||||||
![]() | umz5.1kfhtl | 0.0659 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±2.16% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | umz5.1 | 200 MW | UMD4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2独立 | 2 µA @ 1.5 v | 5.09 v | |||||||||||||||||
![]() | BZT52-B43J | 0.2400 | ![]() | 9859 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.09% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | CZRF52C30 | 0.0805 | ![]() | 7974 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CZRF52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N6008B_T50R | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6008 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||
BZX84-B12-QR | 0.0400 | ![]() | 2471 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-B12-QRTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5388B-TP | 0.1156 | ![]() | 5689 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5388 | 5 W | DO-15 | ダウンロード | 353-1N5388B-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 152 v | 200 v | 480オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SMAZ5943B-E3/5A | 0.1150 | ![]() | 2921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5943 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | ||||||||||||||||
jantxv1n6344 | 14.6700 | ![]() | 6642 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6344 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 52 v | 68 v | 155オーム | |||||||||||||||||
![]() | MEO500-06DA | 81.9800 | ![]() | 4125 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | Y4-M6 | MEO500 | 標準 | Y4-M6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MEO50006DA | ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.52 V @ 520 a | 300 ns | 24 MA @ 600 v | -40°C〜150°C | 514a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5348BRLG | 0.4900 | ![]() | 6684 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5348 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 2.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | GBU4KL-6437M3/51 | - | ![]() | 6261 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU4 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 3 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||
![]() | HERF1608GH | 0.7608 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HERF1608GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1000 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 80 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | bav99brw-tp | 0.4000 | ![]() | 4286 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | bav99 | 標準 | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペアシリーズ接続 | 75 v | 150ma | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C |
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