画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4053R | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N4053 | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1N4053RPX | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 700 V | 12 mA @ 700 v | -65°C〜190°C | 275a | - | |||||||||||||
![]() | Hz2c1re-e | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5236BT-7-F | 0.0736 | ![]() | 7806 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOT-523 | MMBZ5236 | 150 MW | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5916CG | 6.0300 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5916 | 1.25 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | GR2AA | 0.0360 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-gr2aatr | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4004GPE-M3/54 | - | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | 1N4004 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3050cur-1 | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SF16G R1G | - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF16 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
GBPC15005M T0G | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4平方、GBPC-M | GBPC15005 | 標準 | GBPC-M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 50 V | 15 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | APD140VDTR-G1 | - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | APD140 | ショットキー | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | SMBG4740AE3/TR13 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG4740 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4739AP-TP | 0.0806 | ![]() | 5599 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4739 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-1N4739AP-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | ||||||||||||
BAT40VC-7 | 0.6800 | ![]() | 179 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | BAT40 | ショットキー | SOT-563 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 40 v | 200MA (DC) | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | -65°C〜125°C | ||||||||||||
![]() | RD6.2ES-T1 | 0.0600 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5938AE3/TR13 | - | ![]() | 4425 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5938 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | ||||||||||||||
![]() | UFT14280A | - | ![]() | 2563 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | ネジマウント | TO-249AA分離ベース | 標準 | TO-249 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 800 V | 70a | 1.35 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 800 V | ||||||||||||||
![]() | PM6 | - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1 V @ 1 a | 3 µs | 1 MA @ 600 v | - | 2a | 18pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jantxv1n5553 | - | ![]() | 6015 | 0.00000000 | Semtech Corporation | mil-prf-19500/420 | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 1N5553 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1 V @ 3 a | 2 µs | 1 µA @ 800 V | - | 5a | 92pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | S2J-TP | - | ![]() | 6402 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2J | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 2 a | 2 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBRD10100CT-13 | 0.5400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRD10100 | ショットキー | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 840 mV @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | SDH5KS | - | ![]() | 1516 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | モジュール | SDH5 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 5000 V | 6 V @ 3 a | 2 µs | 1 µA @ 5000 V | -55°C〜150°C | 2.5a | - | ||||||||||||
MTZJT-7724B | - | ![]() | 4130 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | mtzj。 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±3% | - | 穴を通して | do-204ag | 500 MW | MSD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 Na @ 19 v | 24 v | 35オーム | ||||||||||||||||
![]() | au3pmhm3_a/i | 0.6765 | ![]() | 3151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.5 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1.4a | 42pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | UPR5/TR13 | 1.3350 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-216AA | UPR5 | 標準 | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 2 a | 25 ns | 2 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2.5a | - | |||||||||||
jantxv1n6354dus | - | ![]() | 1378 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 137 v | 180 v | 1500オーム | ||||||||||||||||
![]() | jans1n7051ur-1 | 162.9150 | ![]() | 1827年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ru 4m | - | ![]() | 5652 | 0.00000000 | サンケン | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | 軸 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3.5 a | 400 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
BZD17C68P MHG | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | ffp20up20dntu | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.15 V @ 10 a | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | SS12P3L-M3/87A | 0.4534 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS12p3 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 560 mV @ 12 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | 12a | 930pf @ 4V、1MHz |
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