RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jantx1n5804	-	RFQ	4166	Semtech Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	sicで中止されました			穴を通して	軸	1N5804	標準		軸	-					ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3.3a	25pf @ 5v、1MHz
SB1240-3G	0.4347	RFQ	5545	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-201AA		ショットキー		DO-2011	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-SB1240-3GTR		8541.10.0000	1,700	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 12 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	12a	-
1N5757C	3.7200	RFQ	6868	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5757		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 53 v						75 v	255オーム
VS-MBR2090CTG-1PBF	-	RFQ	4450	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	MBR20	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSMBR2090CTG1PBF	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	90 v	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C
SR20200-G	-	RFQ	8893	comchipテクノロジー	-	バルク	廃止			穴を通して	TO-220-3	SR2020	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	2ペア共通カソード	200 v	10a	950 mv @ 10 a		500 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
BZD27B9V1P-M3-18	0.1050	RFQ	5138	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B9V1		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V						9.1 v	4オーム
cdll5268b/tr	3.3516	RFQ	2538	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5268b/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 62 v						82 v	330オーム
v30dm45c-m3/i	1.6900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DM45	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	600 mV @ 15 a		700 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
MURS460C-13-F	0.2575	RFQ	1483	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		SMC	ダウンロード			影響を受けていない	31-MURS460C-13-FTR	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.28 V @ 4 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	4a	40pf @ 4V、1MHz
SDURF820	0.5900	RFQ	985	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ		標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		1.2 V @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	-	-
1N4448TR	0.2100	RFQ	56	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4448	標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		100 V		1 V @ 100 MA	8 ns	5 µA @ 75 V	175°C （最大）	150ma	4PF @ 0V、1MHz
jantxv1n4112ur-1	-	RFQ	3213	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13.7 v						18 v	100オーム
1N4741A_T50R	-	RFQ	2894	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4741		1 W	DO-41	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							5 µA @ 8.4 v						11 v	8オーム
jans1n4465dus/tr	297.3750	RFQ	1297	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jans1n4465dus/tr	ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 a		300 na @ 8 v						10 v	5オーム
udzlvte-1791	0.3000	RFQ	6	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	udzlvte		200 MW	SOD-323FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							200 Na @ 69 v						91 v
SDT8A120P5-13	0.5900	RFQ	29	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™5	SDT8A120	ショットキー		Powerdi™5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		120 v		840 mV @ 8 a		300 µA @ 120 V	-	8a	-
jantx1n6351dus/tr	58.0500	RFQ	3774	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6351dus/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 99 v						130 v	850オーム
BZX84C5V1W-TP	0.0426	RFQ	6108	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84C5V1		200 MW	SOT-323	ダウンロード				353-BZX84C5V1W-TP	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 100 MA		2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
1N4005GPHE3/73	-	RFQ	4042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4005	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MMSZ5246C-HE3-08	0.0454	RFQ	2264	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5246		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 12 v						16 v	17オーム
3EZ51D5/TR12	-	RFQ	7972	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ51		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 38.8 v						51 v	48オーム
ammsz5248a-hf	0.0725	RFQ	5185	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123	AMMSZ5248		500 MW	SOD-123	-	ROHS準拠			641-AMMSZ5248A-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 14 V						18 v	21オーム
NTE6083	1.6000	RFQ	34	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		ショットキー		TO-220-2	ダウンロード	ROHS非準拠			2368-NTE6083	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
TRS12E65C、S1Q	-	RFQ	6681	東芝の半導体と貯蔵	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	TRS12E65	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220-2L	-	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 12 a	0 ns	90 µA @ 170 v	175°C （最大）	12a	65pf @ 650v、1MHz
SF25G B0G	-	RFQ	8741	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SF25	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		300 V		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	2a	20pf @ 4V、1MHz
1N5400GHR0G	-	RFQ	2168	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			穴を通して	do-201ad、軸	1N5400	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,250	標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 3 a		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	25pf @ 4V、1MHz
BB439E6327HTSA1	0.7700	RFQ	24	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323	BB439			PG-SOD323-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000										6PF @ 25V、1MHz	シングル	28 v			8	C2/C25	600 @ 25V 、200MHz
1N5380BRL	-	RFQ	5138	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5380		5 W	軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 91.2 v						120 v	170オーム
689-2p	280.3200	RFQ	8809	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	nd	689-2	標準		nd	ダウンロード			影響を受けていない	150-689-2p	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	15a	1.2 V @ 10 a	500 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C
STPR2030	1.0700	RFQ	30	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	STPR20	標準		to220ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	31-stpr2030	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	300 V	10a	1.3 V @ 10 a	35 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²