画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
rs1kl rqg | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rs1k | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | CDBFR70 | 0.0805 | ![]() | 1521 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | ショットキー | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | 125°C (最大) | 70ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | S34110 | 49.0050 | ![]() | 1228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S34110 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731APE3/TR12 | - | ![]() | 9016 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4731 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52C47-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 9335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C47 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 35 V | 47 v | 70オーム | ||||||||||||||||||
![]() | VS-6FLR40S02 | 5.5208 | ![]() | 8521 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 6FLR40 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.4 V @ 6 a | 200 ns | 50 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||||||||||||||
![]() | PZM20NB 、115 | - | ![]() | 3865 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM20 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 15 V | 20 v | 20オーム | |||||||||||||||||
![]() | DZ2S220M0L | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±2.5% | - | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | DZ2S22 | 150 MW | SSMINI2-F5-B | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 50 Na @ 17 V | 22 v | 80オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79B33 A0G | - | ![]() | 5066 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 23.1 MA @ 50 mV | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | Ka33vbu | - | ![]() | 5073 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±6% | -20°C〜75°C | 穴を通して | to-226-2、to-92-2(to-226ac) | KA33 | 200 MW | to-92-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 33 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1510W-BP | - | ![]() | 8013 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | 前回購入します | GBPC1510 | - | 353-GBPC1510W-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
AZ23B33-G3-18 | 0.0594 | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B33 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 25 V | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||||||
![]() | DF005S-E3/45 | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF005 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | 1 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||||||
![]() | 3EZ3.6DE3/TR12 | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3ez3.6 | 3 W | do-204al(do-41) | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 3.6 v | 5オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jans1n5622us/tr | 89.7000 | ![]() | 1056 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/427 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | - | 150-jans1n5622us/tr | 50 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 1000 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MD120A18D1-BP | 24.4340 | ![]() | 3006 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | MD120 | 標準 | D1 | ダウンロード | 353-MD120A18D1-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1800 v | 120a | 1.35 V @ 300 a | 6 MA @ 1800 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | PZ1AL33B_R1_00001 | 0.0648 | ![]() | 3808 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | PZ1AL33 | 1 W | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 501,000 | 1 µA @ 24 V | 33 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BAP51LX 、315 | 0.0700 | ![]() | 9244 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | SOD-882 | DFN1006D-2 | - | 2156-BAP51LX 、315 | 3,407 | 100 Ma | 140 MW | 0.3pf @ 5V、1MHz | ピン -シングル | 60V | 1.5OHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N829E3 | 9.8250 | ![]() | 7788 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N829E3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5933A/TR13 | - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5933 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16.7 v | 22 v | 17.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | CLL4104 BK | - | ![]() | 4633 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | 1514-CLL4104BK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 7.6 v | 10 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5386E3/TR12 | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5386 | 5 W | T-18 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jans1n4623dur-1/tr | 449.6820 | ![]() | 3936 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4623dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.3 v | 1.6オーム | ||||||||||||||||||
![]() | GBU6B-E3/45 | 2.2100 | ![]() | 5826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 3.8 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||
AZ23B3V9-G3-18 | 0.0594 | ![]() | 4926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B3V9 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 3.9 v | 95オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CD-MBL210SL | 0.5200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Bourns Inc. | CD-MBL2XXSL | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | チップ、凹の端子 | CD-MBL | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 960 mV @ 2 a | 5 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||||
![]() | BAR64V-05W-E3-18 | - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | SC-70、SOT-323 | bar64 | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 Ma | 0.35pf @ 20V、1MHz | ピン-1ペア共通カソード | 100V | 1.35OHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55C6V2 L1G | - | ![]() | 2409 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||
![]() | jans1n4472us | - | ![]() | 1419 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | - | ダウンロード | 600-Jans1N4472US | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 16 V | 20 v | 12オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | SM0812-M1 | 15.9750 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 1208 (3020 メトリック) | M1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SM0812-M1 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 a | 1.3pf @ 50V、1MHz | ピン -シングル | 700V | 400mohm @ 100ma 、100MHz |
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